[发明专利]一种SiC掺杂Tax

权利要求书

1.一种SiC掺杂Ta_xHf_1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述制备方法的步骤是：

步骤1、按无水醇类∶乙酰丙酮∶钽盐∶铪盐∶碳源的物质的量的比为2∶(0.25～0.5)∶(1-x)∶x∶(0.2～1.2)，0.01≤x≤0.99；将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合，在60～120℃和500～1200r/min条件下搅拌0.5～2h，得到钽铪络合物；

步骤2、将所述钽铪络合物在180～240℃条件下保温0.5～2.5h，于60～120℃蒸馏1～1.5h，得到Ta_1-xHf_xC陶瓷前驱体，0.01≤x≤0.99；

步骤3、按所述Ta_1-xHf_xC陶瓷前驱体∶硅源的质量比为1∶(0.1～2)，将所述Ta_1-xHf_xC陶瓷前驱体与硅源混合均匀，得到溶胶；

步骤4、按所述溶胶∶乙醇∶去离子水的质量比为1∶(0.1～0.25)∶(0.1～0.15)，将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中，在30～60℃和500～1200r/min条件下搅拌0.15～0.5h，得到凝胶；

步骤5、将所述凝胶于40～75℃条件下干燥1～3h，得到Si-Ta_xHf_1-xC陶瓷前驱体，0.01≤x≤0.99；将所述Si-Ta_xHf_1-xC陶瓷前驱体放入石墨坩埚内，再将所述石墨坩埚置于炭化炉中，在氩气气氛和5～15℃/min的速率条件下，升温至1600～1800℃，保温0.5～1h，自然冷却，得到SiC掺杂Ta_xHf_1-xC陶瓷。

2.根据权利要求1所述SiC掺杂Ta_xHf_1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述的无水醇类为无水甲醇、无水乙醇和正丁醇中的一种。

3.根据权利要求1所述SiC掺杂Ta_xHf_1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述的钽盐为五氯化钽，氯氧化钽，乙醇钽和乙酰丙酮钽中的一种。

4.根据权利要求1所述SiC掺杂Ta_xHf_1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述的铪盐为四氯化铪、氯氧化铪、乙醇铪和乙酰丙酮铪中的一种。

5.根据权利要求1所述SiC掺杂Ta_xHf_1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述的碳源为酚醛树脂、沥青二甲苯可溶物、对二苯酚和1，4-丁二醇中的一种。

6.根据权利要求1所述SiC掺杂Ta_xHf_1-xC陶瓷的制备方法，其特征在于所述的硅源为正硅酸乙酯、硅溶胶和聚碳硅烷的一种。

7.一种SiC掺杂Ta_xHf_1-xC陶瓷，其特征在于所述SiC掺杂Ta_xHf_1-xC陶瓷是根据权利要求1～6项中任一项所述SiC掺杂Ta_xHf_1-xC陶瓷的制备方法所制备的SiC掺杂Ta_xHf_1-xC陶瓷。