[发明专利]用于晶圆键合的对准检测方法

说明书

本发明提供一种用于晶圆键合的对准检测方法，通过分别将每片晶圆的光掩膜检测数据转换为图形数据流数据，将键合后的晶圆的图形数据流数据进行层叠，观察待检测位置的图形数据流数据是否有不一致的地方，从而判断晶圆能否对准，提高了光掩膜检测数据对准检测的效率和准确性。

技术领域

本发明涉及一种用于晶圆键合的对准检测方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，3D-IC（三维集成电路）技术得到了广泛的应用，其是利用晶圆级封装技术将不同的晶圆堆叠键合在一起，该技术具有高性能、低成本且高集成度的优点。

3D堆叠技术正成为高端应用和成像应用的新标准，例如3维堆栈式CMOS图像传感器（3D-StackCIS）被开发出来，以支持对更高质量影像的需求。具体而言，3D-Stack CIS可以对逻辑晶圆以及像素晶圆分别进行制作，进而将所述逻辑晶圆的正面以及所述像素晶圆的正面键合，由于像素部分和逻辑电路部分相互独立，因此可针对高画质的需求对像素部分进行优化，针对高性能的需求对逻辑电路部分进行优化。

然而，在晶圆键合过程中，两片晶圆的互连需要精确对准，若出现对准的偏移，会导致键合后器件连接的偏移，进而影响产品的良率及性能。因此，生产过程中，需要对两片晶圆进行对准检测。由于用于键合的两片晶圆可能出自不同集成电路生产厂商（fab），它们制造过程中的光掩膜检测数据（JDV，Job Deck View）无法层叠在一起做数据检查，只能通过分别观察两片晶圆上的JDV数据进行对比，耗费大量的人力和时间成本，导致对准检测的效率和准确性都较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于晶圆键合的对准检测方法，提高对准检测的效率和准确性。

基于以上考虑，本发明提供一种用于晶圆键合的对准检测方法，分别将每片晶圆的光掩膜检测数据转换为图形数据流数据；将键合后的晶圆的图形数据流数据进行层叠，观察待检测位置的图形数据流数据是否有不一致的地方，从而判断晶圆能否对准。

优选的，所述待检测位置包括主芯片，划片槽测试结构，对准标记。

优选的，所述晶圆对准的最小精度为0.1μm。

优选的，所述晶圆通过混合键合技术进行键合。

优选的，所述晶圆正面相对进行键合。

优选的，所述晶圆以及光掩膜检测数据由不同的集成电路生产厂商提供。

本发明的用于晶圆键合的对准检测方法，通过分别将每片晶圆的光掩膜检测数据转换为图形数据流数据，将键合后的晶圆的图形数据流数据进行层叠，观察待检测位置的图形数据流数据是否有不一致的地方，从而判断晶圆能否对准，提高了对准检测的效率和准确性。

具体实施方式

为解决上述现有技术中的问题，本发明提供一种用于晶圆键合的对准检测方法，通过分别将每片晶圆的光掩膜检测数据转换为图形数据流数据，将键合后的晶圆的图形数据流数据进行层叠，观察待检测位置的图形数据流数据是否有不一致的地方，从而判断晶圆能否对准，提高了对准检测的效率和准确性。

示例的实施例并不旨在穷尽根据本发明的所有实施例。可以理解，在不偏离本发明的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本发明的范围由所附的权利要求所限定。

下面结合具体实施例对本发明进行详细阐述。