[发明专利]一种半导体器件的清洗方法

权利要求书

1.一种半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述方法包括：

提供前端器件层，所述前端器件层包括多个堆叠结构；

采用不同的清洗溶液清洗所述前端器件层，以去除杂质，其中，在切换清洗溶液的工艺之间设置润湿工序，以保持所述堆叠结构间隙存在清洗溶液；

其中，所述采用不同的清洗溶液清洗所述前端器件层具体为：

第一工序，在所述前端器件层的上表面喷洒稀氢氟酸溶液；

第一润湿工序，在所述前端器件层的上表面依次喷洒稀氢氟酸溶液、含二氧化碳的去离子水以及臭氧化的去离子水；

第二工序，在所述前端器件层的上表面喷洒臭氧化的去离子水；

第二润湿工序，在所述前端器件层的上表面依次喷洒臭氧化的去离子水以及含二氧化碳的去离子水；

第三工序，在所述前端器件层的上表面喷洒含二氧化碳的去离子水；

第三润湿工序，在所述前端器件层的上表面喷洒含二氧化碳的去离子水。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述润湿工序至少包括切换前的工序的延长和切换后的工序的预启动。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述半导体器件为与非门闪存。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述清洗溶液至少包括稀氢氟酸、臭氧化的去离子水以及含二氧化碳的去离子水中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述采用不同的清洗溶液清洗所述前端器件层具体为：

在所述前端器件层的上表面喷洒清洗溶液，在所述前端器件层的下表面喷洒氮气或者含二氧化碳的去离子水。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第一润湿工序包括：

第一润湿子工序，在所述前端器件层的上表面喷洒稀氢氟酸溶液；

第二润湿子工序，在所述前端器件层的上表面喷洒含二氧化碳的去离子水；以及

第三润湿子工序，在所述前端器件层的上表面喷洒臭氧化的去离子水。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，

所述第一工序的卡盘转速为500rpm-1000rpm；

所述第一润湿子工序、第二润湿子工序以及第三润湿子工序的卡盘转速分别为500rpm-1000rpm，400rpm-800rpm和400rpm-800rpm。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第二工序的转速为400rpm-800rpm；所述第二润湿工序的转速为400rpm-800rpm。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第三工序的转速为300rpm-700rpm；所述第三润湿工序的转速为300rpm-700rpm。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，在采用不同的清洗溶液清洗所述前端器件层后，所述方法还包括：

干燥所述前端器件层。