[发明专利]一种半导体器件的清洗方法

说明书

本发明实施例提供了一种半导体器件的清洗方法。在本发明实施例中，在切换清洗溶液的间隙设置润湿工序，以保持所述堆叠结构间隙存在液体。通过增加润湿工序，不需要干燥前端器件层后再切换清洗溶液，能够避免前端器件层表面干燥过程中，由于清洗溶液的表面张力导致的堆叠结构倾斜。由此，本发明实施例的清洗方法能够避免相邻堆叠结构因倾斜而相互接触，从而避免相邻堆叠结构电连接导致的前端器件层短路。由此，能够提高半导体器件的良率，确保半导体器件的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的清洗方法。

背景技术

随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。然而，半导体器件的性能还需要提高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种半导体器件的清洗方法，以提高半导体器件的性能。

本发明实施例的方法包括：

提供前端器件层，所述前端器件层包括多个堆叠结构；

采用不同的清洗溶液清洗所述前端器件层，以去除杂质，其中，在切换清洗溶液的工艺之间设置润湿工序，以保持所述堆叠结构间隙存在清洗溶液。

进一步地，所述润湿工序至少包括切换前的工序的延长和切换后的工序的预启动。

进一步地，所述半导体器件为与非门闪存。

进一步地，所述清洗溶液至少包括稀氢氟酸、臭氧化的去离子水以及含二氧化碳的去离子水中的一种或多种。

进一步地，所述采用不同的清洗溶液清洗所述前端器件层具体为：

在所述前端器件层的上表面喷洒清洗溶液，在所述前端器件层的下表面喷洒氮气或者含二氧化碳的去离子水。

进一步地，所述采用不同的清洗溶液清洗所述前端器件层具体为：

第一工序，在所述前端器件层的上表面喷洒稀氢氟酸溶液；

第一润湿工序，在所述前端器件层的上表面依次喷洒稀氢氟酸溶液、含二氧化碳的去离子水以及臭氧化的去离子水；

第二工序，在所述前端器件层的上表面喷洒臭氧化的去离子水；

第二润湿工序，在所述前端器件层的上表面依次喷洒臭氧化的去离子水以及含二氧化碳的去离子水；

第三工序，在所述前端器件层的上表面喷洒含二氧化碳的去离子水；

第三润湿工序，在所述前端器件层的上表面喷洒含二氧化碳的去离子水。

进一步地，所述第一工序的卡盘转速为500rpm-1000rpm；

在所述第一润湿工序中，在所述前端器件层上表面依次喷洒稀氢氟酸溶液、含二氧化碳的去离子水以及臭氧化的去离子水的卡盘转速分别为500rpm-1000rpm，400rpm-800rpm和400rpm-800rpm。

进一步地，所述第二工序的转速为400rpm-800rpm；所述第二润湿工序的转速为400rpm-800rpm。

进一步地，所述第三工序的转速为300rpm-700rpm；所述第三润湿工序的转速为300rpm-700rpm。

进一步地，在采用不同的清洗溶液清洗所述前端器件层后，所述方法还包括：

干燥所述前端器件层。