[发明专利]晶体管结构与其工艺方法

权利要求书

1.一种晶体管结构，其特征在于包含：

一栅极，位于一第一硅材料的一硅表面上方；

一通道区，位于所述硅表面下方且包含一第一端和一第二端；

一漏极，独立于所述第一硅材料且不是由所述第一硅材料所衍生出来，其中所述漏极包含一第一预定实体边界，以及所述第一预定实体边界直接连接所述通道区的所述第一端；及

一源极，独立于所述第一硅材料且不是由所述第一硅材料所衍生出来，其中所述源极包含一第二预定实体边界，以及所述第二预定实体边界直接连接所述通道区的所述第二端。

2.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于另包含：

一间隔层，覆盖所述栅极的侧壁，其中所述漏极的所述第一预定实体边界对齐所述间隔层的一第一边缘，以及所述源极的所述第二预定实体边界对齐所述间隔层的一第二边缘。

3.如权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于另包含：

一第一凹槽，具有一第一侧屏障，其中所述漏极包含一下方部分和一上方部分，所述下方部分位于所述第一凹槽内，所述上方部分堆叠于所述下方部分上且接触所述间隔层，以及所述第一侧屏障对齐所述漏极的所述第一预定实体边界。

4.如权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于另包含：

一第一绝缘区，位于所述第一凹槽的底部，其中所述漏极的所述下方部分位于所述第一绝缘区上方，以及所述漏极的所述下方部分直接连接所述通道区的所述第一端。

5.如权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于：所述第一硅材料的所述硅表面是一鳍式结构的上表面，所述第一凹槽形成于所述鳍式结构内，以及所述漏极的所述下方部分的厚度和所述通道区的厚度与所述鳍式结构的厚度无关。

6.一种晶体管结构的工艺方法，其特征在于包含：

准备一第一硅材料；

形成一栅极，其中所述栅极耦接于所述第一硅材料；及

形成具有第一可控制的掺杂浓度分布的一漏极和具有第二可控制的掺杂浓度分布的一源极，其中形成所述栅极、和形成所述漏极和所述源极的过程之间并不需要使用离子注入法。

7.如权利要求6所述的工艺方法，其特征在于另包含：

于形成所述漏极和所述源极前，形成一间隔层，其中所述间隔层覆盖所述栅极的侧壁且位于所述第一硅材料的一硅表面上方。

8.如权利要求7所述的工艺方法，其特征在于另包含：

于形成所述漏极和所述源极前，形成具有一第一侧屏障的一第一凹槽和具有一第二侧屏障的一第二凹槽，其中所述第一凹槽的所述第一侧屏障对齐所述间隔层的一第一边缘，以及所述第二凹槽的所述第二侧屏障对齐所述间隔层的一第二边缘。

9.如权利要求8所述的工艺方法，其特征在于另包含：

于形成所述漏极和所述源极前，形成位于所述第一凹槽底部的一第一绝缘区和位于所述第二凹槽底部的一第二绝缘区。

10.如权利要求9所述的工艺方法，其特征在于：所述漏极包含一下方部分和一上方部分，其中所述下方部分位于所述第一凹槽内且堆叠于所述第一绝缘区上，以及所述上方部分堆叠于所述下方部分上且接触所述间隔层。

11.如权利要求9所述的工艺方法，其特征在于：所述源极包含一下方部分和一上方部分，其中所述下方部分位于所述第二凹槽内且堆叠于所述第二绝缘区上，以及所述上方部分堆叠于所述下方部分上且接触所述间隔层。