[发明专利]一种芯片生产用固化温度控制工艺

权利要求书

1.一种芯片生产用固化温度控制工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、保湿：降压至0.03-0.05MPa，保持温度60-80℃，湿度控制在90％-100％RH，维持15-20min；

步骤二、通入臭氧，升压至0.2-0.3MPa，升高温度至80-85℃、相对湿度至90-95％，维持3-4h；

步骤三、温度控制在60-80℃；湿度由90％-100％RH在4-8h内逐渐降低到1-20％RH；

步骤四、干燥：温度控制60-80℃，湿度控制1-20％RH，干燥6-12h，压力至0.2-0.3MPa，干燥维持6-12h。

2.根据权利要求1所述的一种芯片生产用固化温度控制工艺，其特征在于：所述步骤二至步骤四，保持固化室内空气中臭氧浓度为10-30mg/L。

3.根据权利要求1所述的一种芯片生产用固化温度控制工艺，其特征在于：所述步骤一中采用水雾加湿，所述水雾由双氧水和纯水的混合液制造产生，所述混合液中双氧水浓度为50-150g/L。

4.根据权利要求1所述的一种芯片生产用固化温度控制工艺，其特征在于：所述步骤四结束之后，参与固化的所述芯片的孔隙率维持在53％-57％，极板的孔隙率维持在58％-62％，锡膏的剩余水分小于或等于1％。

5.根据权利要求1所述的一种芯片生产用固化温度控制工艺，其特征在于：步骤二和步骤三中，固化室内循环风速保持在1-3m/s，步骤四中，循环风速为3-5m/s。

6.根据权利要求1所述的一种芯片生产用固化温度控制工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、保湿：降压至0.05MPa，保持温度80℃，湿度控制在100％RH，维持20min；

步骤二、通入臭氧，升压至0.3MPa，升高温度至85℃、相对湿度至95％，维持3-4h；

步骤三、温度控制在80℃；湿度由100％RH在8h内逐渐降低到20％RH；

步骤四、干燥：温度控制80℃，湿度控制20％RH，干燥12h，压力至0.3MPa，干燥维持12h。

7.根据权利要求1所述的一种芯片生产用固化温度控制工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、保湿：降压至0.03MPa，保持温度60℃，湿度控制在90％RH，维持15min；

步骤二、通入臭氧，升压至0.2MPa，升高温度至80℃、相对湿度至90％，维持3h；

步骤三、温度控制在60℃；湿度由90％RH在4h内逐渐降低到1％RH；

步骤四、干燥：温度控制60℃，湿度控制1％RH，干燥6h，压力至0.2MPa，干燥维持6h。