[发明专利]一种芯片生产用固化温度控制工艺

说明书

本发明公开了一种芯片生产用固化温度控制工艺，包括以下步骤：步骤一、保湿：降压至0.03‑0.05MPa，保持温度60‑80℃，湿度控制在90％‑100％RH，维持15‑20min；步骤二、通入臭氧，升压至0.2‑0.3MPa，升高温度至80‑85℃、相对湿度至90‑95％，维持3‑4h；步骤三、温度控制在60‑80℃；湿度由90％‑100％RH在4‑8h内逐渐降低到1‑20％RH；步骤四、干燥：温度控制60‑80℃，湿度控制1‑20％RH，干燥6‑12h，压力至0.2‑0.3MPa，干燥维持6‑12h，本发明由于臭氧在水中的溶解度较纯氧大，0℃时一个标准大气压下，一体积水可溶解0.494体积臭氧，臭氧很不稳定，在常温常压下即可分解为氧气，有很强的氧化性，本发明利用臭氧易溶于水及易分解的特性，固化过程中向固化室通入臭氧，以提高固化极板水份的氧浓度，进而提高固化效率。

技术领域

本发明属于芯片生产技术领域，更具体地说，尤其涉及一种芯片生产用固化温度控制工艺。

背景技术

在现今的生活上，科技日新月益的进展之下,机械人手臂与有人类的手臂最大区别就在于灵活度与耐力度，也就是机械手的最大优势可以重复的做同一动作在机械正常情况下永远也不会觉得累，机械手的应用也将会越来越广泛。

半导体晶圆芯片的制造包括：从晶体上将半导体晶圆切割下来，接下来是许多连续的去除材料的加工步骤。这些加工步骤是为了获得尽可能光滑的表面、半导体晶圆的平行侧面以及提供具有倒圆棱边的半导体晶圆。通常考虑的去除材料的加工步骤包含：半导体晶圆的棱边倒圆、研磨或双面研磨、蚀刻及抛光。在半导体晶圆芯片的加工作业中，存在大量的重复性劳动，同时对于作业环境要求较高，将机械手应用于晶圆芯片的加工作业中是当今社会发展的趋势，同时还需要面对加工作业固化温度控制问题等。

固化温度是指胶粘剂固化所需的温度。胶粘剂固化都需要一定的温度，只是胶粘剂的品种不同，固化温度不同而已，有的能在室温固化，有的需要高温固化，有的可在低温固化。温度是固化的主要因素。不仅决定固化完成的程度。而且也决定固化过程进行的快慢。每种胶粘剂都有特定的固化温度。低于此温度是不会固化的，适当地提高温度会加速固化过程，并且提高粘接强度，对于室温固化的胶粘剂。如能加热固化，除了能够缩短固化时问。增大固化程度外，还能大幅度提高强度，耐热性、耐水性和耐腐蚀性等。加热固化升温速度不能太快，升温要缓慢，加热要均匀，最好阶梯升温，分段固化，使温度的变化与固化反应相适应。所谓分段固化就是室温放置一段时间，再开始加热到某一温度，保持一定时间。再继续升温到所需要的固化温度。加热固化不要在涂胶装配后马上进行，须凝胶之后再升温。如果升温过早，温度上升太快，温度过高。会因胶的粘度迅速降低使胶的流动性太大而滥胶过甚，造成缺胶，收不到加热固化的有利效果。还会使被粘件错位。加热固化一定要严格控制温度切勿温度过高持续时间太长，导致过固化，使胶层炭化变脆，损害粘接性能。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种芯片生产用固化温度控制工艺。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种芯片生产用固化温度控制工艺，包括以下步骤：

步骤一、保湿：降压至0.03-0.05MPa，保持温度60-80℃，湿度控制在90％-100％RH，维持15-20min；

步骤二、通入臭氧，升压至0.2-0.3MPa，升高温度至80-85℃、相对湿度至90-95％，维持3-4h；

步骤三、温度控制在60-80℃；湿度由90％-100％RH在4-8h内逐渐降低到1-20％RH；

步骤四、干燥：温度控制60-80℃，湿度控制1-20％RH，干燥6-12h，压力至0.2-0.3MPa，干燥维持6-12h。

优选的：所述步骤二至步骤四，保持固化室内空气中臭氧浓度为10-30mg/L。