[发明专利]一种冷轧退火炉加湿装置及其使用方法在审
申请号: | 201911170114.X | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110911312A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 卢威;戴泽辉 | 申请(专利权)人: | 山东宏旺实业有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州知顺知识产权代理事务所(普通合伙) 44401 | 代理人: | 彭志坚 |
地址: | 276018 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冷轧 退火炉 加湿 装置 及其 使用方法 | ||
本发明涉及退火炉技术领域,且公开了一种冷轧退火炉加湿装置及其使用方法,包括退火炉本体,所述退火炉本体的左侧固定连接有控制盒,所述控制盒的顶部和底部均固定连接有位于退火炉本体左侧的固定板,两个所述固定板的左侧均螺纹连接有第一固定螺丝,所述控制盒的左侧活动安装有门板,所述门板的左侧固定安装有显示器,所述控制盒的内腔底壁固定安装有报警器。该冷轧退火炉加湿装置及其使用方法,通过控制模块对整个用电设备进行控制,利用温度传感器和湿度传感器对退火炉本体进行双重监测,采用自动化监控代替人工操作,增加退火炉使用时的安全性,如果出现问题首先该加湿装置可以根据数值变化自动操作。
技术领域
本发明涉及退火炉技术领域,具体为一种冷轧退火炉加湿装置及其使用方法。
背景技术
退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺,其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能,热处理是针对不同的效果而设计的,可以加热晶片以激活掺杂剂,将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面,使致密沉积的薄膜,改变生长的薄膜的状态,修复注入的损伤,移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。
退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中,例如氧化,或者可以自己处理,退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的,退火炉是节能型周期式作业炉,超节能结构,采用纤维结构,节电60%,但是退火炉在使用过程中内部的湿度无法进行调节,容易影响内部冷轧退火的效率,且内部出现过载无法第一时间知晓,故而提出一种冷轧退火炉加湿装置来解决上述所提出的问题。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种冷轧退火炉加湿装置及其使用方法,具备湿度调节和过载报警的等优点,解决了火炉在使用过程中内部的湿度无法进行调节,容易影响内部冷轧退火的效率,且内部出现过载无法第一时间知晓的问题。
(二)技术方案
为实现上述湿度调节和过载报警的目的,本发明提供如下技术方案:一种冷轧退火炉加湿装置,包括退火炉本体,所述退火炉本体的左侧固定连接有控制盒,所述控制盒的顶部和底部均固定连接有位于退火炉本体左侧的固定板,两个所述固定板的左侧均螺纹连接有第一固定螺丝,所述控制盒的左侧活动安装有门板,所述门板的左侧固定安装有显示器,所述控制盒的内腔底壁固定安装有报警器,所述控制盒的内部设置有控制模块,所述退火炉本体的左右两侧均固定连接有密封圈,所述退火炉本体的右侧固定连接有支撑架,所述支撑架的右侧螺纹连接有第二固定螺丝,所述支撑架的顶部固定连接有放置架,所述放置架的内部固定连接有储水箱,所述储水箱的顶部固定连接有进水管,所述储水箱内腔右侧壁的底端固定安装有液位传感器,所述储水箱的内部固定连接有抽水管,所述抽水管的底端固定安装有抽水头,所述抽水管远离抽水头的一端固定连接有三通接头,所述三通接头的顶部和导流管的一端固定连接,所述导流管远离三通接头的一端和抽液泵的进液口固定连接,所述退火炉本体的顶部固定安装有抽液泵,所述抽液泵的出液口和排液管的一端固定连接,所述排液管远离抽液泵的一端和三通接头的左侧固定连接,所述排液管的底部固定安装有位于退火炉本体内部的雾化喷嘴,所述排液管的外部套接有位于退火炉本体内部的保温套,所述退火炉本体的内腔顶壁固定安装有温度传感器,所述退火炉本体的内腔顶壁固定安装有位于温度传感器左侧的湿度传感器。
优选的,所述退火炉本体左右两侧的顶端均开设有圆形通孔,且圆形通孔的内部固定连接有密封圈。
优选的,所述控制盒和固定板为一个整体,所述第一固定螺丝的一端贯穿固定板并延伸至退火炉本体的内部。
优选的,所述门板左侧的底端开设有散热口,门板左侧的顶端开设有安装口。
优选的,所述门板的内部固定连接有层板,层板的顶部固定安装有控制模块。
优选的,所述支撑架和放置架为一个整体,支撑架呈倒“L”状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造