[发明专利]一种光面粗化电解铜箔的生产工艺在审
| 申请号： | 201911171379.1 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110760862A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 于君杰;唐海峰;刘肇;王卫;黄德兵;曹德林;韩青;李登辉;隋景昕 | 申请（专利权）人： | 江东电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23G1/10 | 分类号： | C23G1/10;C23G3/02;C25F3/02;C25D3/56;C25D5/48;C25D7/06 |
| 代理公司： | 32252 南京钟山专利代理有限公司 | 代理人： | 陈亮亮 |
| 地址： | 226400 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粗化 固化 电解铜箔 防氧化 抗剥离 镀层 铜箔 光面 表面形态 工序条件 结构形态 硫酸钴 氯离子 铜离子 钨酸钠 钼酸钠 钼元素 硅烷 烘干 喷涂 酸洗 生产工艺 硫酸 | ||
1.一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，其特征在于包含以下步骤：铜箔按照顺序进行酸洗、粗化Ⅰ、固化Ⅰ、粗化Ⅱ、固化Ⅱ、固化Ⅲ、固化Ⅳ、高温防氧化、水洗Ⅰ、常温防氧化、水洗Ⅱ、硅烷喷涂和烘干；其中粗化Ⅰ和粗化Ⅱ的工序条件为电流密度28~33A/dm2,温度25~35℃，硫酸浓度160~180g/l，铜离子浓度7~13g/l，氯离子浓度15~30mg/l,钨酸钠0~90mg/l、钼酸钠0~70mg/l和硫酸钴0~45g/L。
2.按照权利要求1所述的一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，其特征在于：所述酸洗工序条件为温度30~40℃，硫酸浓度100~170g/l，铜离子浓度25~45g/l。
3.按照权利要求1所述的一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，其特征在于：所述固化Ⅰ、固化Ⅱ、固化Ⅲ和固化Ⅳ的工序条件为电流密度25~35A/dm2,温度35~45℃，硫酸浓度80~140g/l，铜离子浓度45~55g/l。
4.按照权利要求1所述的一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，其特征在于：所述高温防氧化工序条件为电流密度5~10A/dm2,温度35~45℃，焦磷酸钾浓度110~160g/l，锌离子浓度4.5~6.5g/l，酸碱度PH值8.5~9.5，硫酸亚铈浓度0.4~0.6g/L。
5.按照权利要求1所述的一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，其特征在于：所述高温防氧化工序条件为电流密度5~10A/dm2,温度35~45℃，焦磷酸钾浓度110~160g/l，锌离子浓度4.5~6.5g/l，酸碱度PH值8.5~9.5，硫酸镧浓度2.5~3.5g/L。
6.按照权利要求1所述的一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，其特征在于：所述常温防氧化工序条件为电流密度5~10A/dm2,温度25~35℃，六价铬离子浓度2.0~3.0g/l，酸碱度PH10.0~11.0。
7.按照权利要求1所述的一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，其特征在于：所述硅烷喷涂的工序条件为温度25~30℃，有机膜偶联剂浓度0.8~1.5g/l。
8.按照权利要求1所述的一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，其特征在于：所述烘干工序采用的温度为160~190℃。
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