[发明专利]一种光面粗化电解铜箔的生产工艺

说明书

本发明公开了一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，铜箔按照顺序进行酸洗、粗化Ⅰ、固化Ⅰ、粗化Ⅱ、固化Ⅱ、固化Ⅲ、固化Ⅳ、高温防氧化、水洗Ⅰ、常温防氧化、水洗Ⅱ、硅烷喷涂和烘干；其中粗化Ⅰ和粗化Ⅱ的工序条件为电流密度28~33A/dm2,温度25~35℃，硫酸浓度160~180g/l，铜离子浓度7~13g/l，氯离子浓度15~30mg/l,钨酸钠0~90mg/l、钼酸钠0~70mg/l和硫酸钴0~45g/L。本发明在粗化工序中添加钨、钴、钼元素，改善铜箔的表面形态，从而提高了电解铜箔的抗剥离强度；在高温防氧化工序中增加镧或者铈等元素来形成特殊镀层，改变镀层的结构形态，从而提高了电解铜箔的抗剥离强度和抗腐蚀性。

技术领域

本发明涉及一种电解铜箔的生产工艺，特别是一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，属于高精电解铜箔制备领域。

背景技术

随着电子信息技术的发展，多层复杂或高密度细线路PCB板在高精度小型化电子产品中用量日益增多，传统方式通常用高精度电子铜箔或双面粗化电解铜箔用于高密度细线路PCB板或多层复杂PCB板内层，采用传统高精度电解铜箔侧需要进行压板后腐蚀黑化等复杂工艺，生产制程长且成本高；采用双面粗化电解铜箔则增加了铜箔本身工艺复杂性，提高了加工成本。

针对上述问题，中国专利公开号CN102277605B公开了一种光面粗化电解铜箔的制造工艺，缩短了高精细化要求PCB板的制作过程，铜牙短易于蚀刻。但是随着目前PCB板对抗剥离度要求的逐渐提高，上述工艺的电解铜箔的抗剥离度已经不能满足目前的需求，因此有必要研发一种新的光面粗化电解铜箔的生产工艺，以提高光面铜箔粗化后的抗剥离度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，提高光面铜箔粗化后的抗剥离度。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：

一种光面粗化电解铜箔的生产工艺，其特征在于包含以下步骤：铜箔按照顺序进行酸洗、粗化Ⅰ、固化Ⅰ、粗化Ⅱ、固化Ⅱ、固化Ⅲ、固化Ⅳ、高温防氧化、水洗Ⅰ、常温防氧化、水洗Ⅱ、硅烷喷涂和烘干；其中粗化Ⅰ和粗化Ⅱ的工序条件为电流密度28~33A/dm2,温度25~35℃，硫酸浓度160~180g/l，铜离子浓度7~13g/l，氯离子浓度15~30mg/l,钨酸钠0~90mg/l、钼酸钠0~70mg/l和硫酸钴0~45g/L。

进一步地，所述酸洗工序条件为温度30~40℃，硫酸浓度100~170g/l，铜离子浓度25~45g/l。

进一步地，所述固化Ⅰ、固化Ⅱ、固化Ⅲ和固化Ⅳ的工序条件为电流密度25~35A/dm²,温度35~45℃，硫酸浓度80~140g/l，铜离子浓度45~55g/l。

进一步地，所述高温防氧化工序条件为电流密度5~10A/dm²,温度35~45℃，焦磷酸钾浓度110~160g/l，锌离子浓度4.5~6.5g/l，酸碱度PH值8.5~9.5，硫酸亚铈浓度0.4~0.6g/L。

进一步地，所述高温防氧化工序条件为电流密度5~10A/dm²,温度35~45℃，焦磷酸钾浓度110~160g/l，锌离子浓度4.5~6.5g/l，酸碱度PH值8.5~9.5，硫酸镧浓度2.5~3.5g/L。

进一步地，所述常温防氧化工序条件为电流密度5~10A/dm²,温度25~35℃，六价铬离子浓度2.0~3.0g/l，酸碱度PH10.0~11.0。

进一步地，所述硅烷喷涂的工序条件为温度25~30℃，有机膜偶联剂浓度0.8~1.5g/l。

进一步地，所述烘干工序采用的温度为160~190℃。

本发明与现有技术相比，具有以下优点和效果：