[发明专利]基准电流源电路

权利要求书

1.一种基准电流源电路，其特征在于，包括：

电流产生电路，包括：第一PMOS管，与所述第一PMOS管串联连接的第一NMOS管，与所述第一PMOS管栅极连接的第二PMOS管，以及与所述第二PMOS管串联连接的第二NMOS管；

第一电压调整电路，输入端与所述第二PMOS管的漏极连接，输出端与所述第一NMOS管的栅极及源极连接，适于在所述第二PMOS管的漏极电压变化时，通过调整所述第二NMOS管的源极电压，使得所述第一PMOS管漏极的电压值与所述第二PMOS管漏极的电压值相等；

第二电压调整电路，输入端与所述第二PMOS管的漏极连接，输出端与所述第二NMOS管的栅极及源极连接，适于在所述第二PMOS管的漏极电压变化时，通过调整所述第一NMOS管的源极电压，使得所述第一PMOS管漏极的电压值与所述第二PMOS管漏极的电压值相等。

2.如权利要求1所述的基准电流源电路，其特征在于，所述第一电压调整电路，输入端与所述第二PMOS管漏极连接，输出端与所述第一NMOS管的栅极及源极连接，适于检测所述第二PMOS管漏极的电压，并将所述第二PMOS管漏极电压的变化反馈至所述第一NMOS管的栅极，同时调整所述第二NMOS管源极的电压，以调整所述第一PMOS管的漏极电压。

3.如权利要求2所述的基准电流源电路，其特征在于，所述第一电压调整电路，包括：第三PMOS管及第三NMOS管；其中：

所述第三PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接；所述第三PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的栅极和漏极连接；所述第三PMOS管的源极与电源电压输出端连接；所述第三NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极连接。

4.如权利要求1所述的基准电流源电路，其特征在于，所述第二电压调整电路，输入端与所述第二PMOS管漏极连接，输出端与所述第二NMOS管的栅极及源极连接，适于检测所述第二PMOS管漏极的电压，并将所述第二PMOS管漏极电压的变化反馈至所述第二NMOS管的栅极，同时调整所述第一NMOS管源极的电压，以调整所述第二PMOS管的漏极电压。

5.如权利要求4所述的基准电流源电路，其特征在于，所述第二电压调整电路包括：第四PMOS管及第四NMOS管；其中：

所述第四PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接；所述第四PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的栅极和漏极连接；所述第四PMOS管的源极与电源电压输出端连接；所述第四NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接。

6.如权利要求1所述的基准电流源电路，其特征在于，所述基准电流源电路中，所有PMOS管的宽长比相同。

7.如权利要求1所述的基准电流源电路，其特征在于，所述基准电流源电路中，所有NMOS管的宽长比相同。

8.如权利要求1所述的基准电流源电路，其特征在于，所述基准电流源电路中，所有MOS管的宽长比相同，且均为5:1。

9.如权利要求1至8任一项所述的基准电流源电路，其特征在于，所述第一PMOS管的栅极与漏极连接；所述第一PMOS管的源极及所述第二PMOS管的源极均与电源电压输出端连接。

10.如权利要求9所述的基准电流源电路，其特征在于，所述电流产生电路还包括：第一三极管，第一电阻及第二三极管；其中：

所述第一三极管的基极与集电极，与所述第一NMOS管的源极连接；所述第一三极管的发射极接地；

所述第一电阻的一端与所述第二NMOS管的源极连接，另一端与所述第二三极管的基极与集电极连接；

所述第二NMOS管的发射极接地。

11.如权利要求10所述的基准电流源电路，其特征在于，所述第二三极管的数量为两个以上，且尺寸相同；所述两个以上的所述第二三极管之间并联连接。