[发明专利]基准电流源电路

说明书

一种基准电流源电路，所述基准电流源电路电流产生电路，包括：第一PMOS管，与所述第一PMOS管串联连接的第一NMOS管，与所述第一PMOS管栅极连接的第二PMOS管，以及与所述第二PMOS管串联连接的第二NMOS管；第一电压调整电路，与所述电流产生电路连接，适于在所述第二PMOS管的漏极电压变化时，通过调整所述第二NMOS管的源极电压，使得所述第一PMOS管漏极的电压值与所述第二PMOS管漏极的电压值相等；第二电压调整电路，与所述电流产生电路连接，适于在所述第二PMOS管的漏极电压变化时，通过调整所述第一NMOS管的源极电压，使得所述第一PMOS管漏极的电压值与所述第二PMOS管漏极的电压值相等。应用上述方案，可以改善基准电流源的灵敏度特性。

技术领域

本发明的实施例电流源技术领域，具体涉及一种基准电流源电路。

背景技术

在跨导放大器及运算放大器等常用模拟集成电路中，基准电流源是很重要的组成部分。基站电流源可以为模拟集成电路中的其它其他电路提供偏置电流。

在实际应用中，需要尽量避免基准电流源中出现电流不匹配的情况，以使得基准电流源的输出电流保持稳定，由此才能后满足对基准电流源灵敏度特性的要求。

然而，现有的基准电流源的灵敏度特性仍然较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何改善基准电流源的灵敏度特性。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种基准电流源电路，所述基准电流源电路，包括：电流产生电路，包括：第一PMOS管，与所述第一PMOS管串联连接的第一NMOS管，与所述第一PMOS管栅极连接的第二PMOS管，以及与所述第二PMOS管串联连接的第二NMOS管；第一电压调整电路，与所述电流产生电路连接，适于在所述第二PMOS管的漏极电压变化时，通过调整所述第二NMOS管的源极电压，使得所述第一PMOS管漏极的电压值与所述第二PMOS管漏极的电压值相等；第二电压调整电路，与所述电流产生电路连接，适于在所述第二PMOS管的漏极电压变化时，通过调整所述第一NMOS管的源极电压，使得所述第一PMOS管漏极的电压值与所述第二PMOS管漏极的电压值相等。

可选地，所述第一电压调整电路，输入端与所述第二PMOS管漏极连接，输出端与所述第一NMOS管的栅极及源极连接，适于检测所述第二PMOS管漏极的电压，并将所述第二PMOS管漏极电压的变化反馈至所述第一NMOS管的栅极，同时调整所述第二NMOS管源极的电压，以调整所述第一PMOS管的漏极电压。

可选地，所述第一电压调整电路，包括：第三PMOS管及第三NMOS管；其中：

所述第三PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接；所述第三PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的栅极和漏极连接；所述第三PMOS管的源极与电源电压输出端连接；所述第三NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极连接。

可选地，所述第二电压调整电路，输入端与所述第二PMOS管漏极连接，输出端与所述第二NMOS管的栅极及源极连接，适于检测所述第二PMOS管漏极的电压，并将所述第二PMOS管漏极电压的变化反馈至所述第二NMOS管的栅极，同时调整所述第一NMOS管源极的电压，以调整所述第二PMOS管的漏极电压。

可选地，所述第二电压调整电路包括：第四PMOS管及第四NMOS管；其中：

所述第四PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接；所述第四PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的栅极和漏极连接；所述第四PMOS管的源极与电源电压输出端连接；所述第四NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接。

可选地，所述基准电流源电路中，所有PMOS管的宽长比相同。

可选地，所述基准电流源电路中，所有NMOS管的宽长比相同。