[发明专利]扇出型半导体封装件

权利要求书

1.一种扇出型半导体封装件，包括：

框架，包括一个或更多个绝缘层并且具有贯穿所述一个或更多个绝缘层的贯穿部；

半导体芯片，设置在所述框架的所述贯穿部中，具有连接垫；

连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的下侧，包括电连接到所述连接垫的重新分布层；

第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的背表面以及所述框架的所述一个或更多个绝缘层中的最上层的绝缘层的顶表面的第一区域，并且在所述贯穿部的侧壁与所述半导体芯片的侧表面之间延伸；以及

第二包封剂，覆盖所述框架的所述一个或更多个绝缘层中的所述最上层的绝缘层的所述顶表面的第二区域，并且与所述第一包封剂的在所述框架上的侧表面接触。

2.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述框架包括彼此电连接的多个布线层，并且

在所述多个布线层中，最上层的布线层设置在所述最上层的绝缘层的所述第二区域中并且被所述第二包封剂覆盖。

3.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括金属层，所述金属层设置在所述最上层的绝缘层的所述顶表面的所述第一区域中，

其中，所述金属层被所述第一包封剂覆盖。

4.根据权利要求3所述的扇出型半导体封装件，其中，当从上方观察时，所述金属层围绕所述贯穿部连续地设置。

5.根据权利要求3所述的扇出型半导体封装件，其中，所述最上层的布线层的厚度大于所述金属层的厚度。

6.根据权利要求5所述的扇出型半导体封装件，其中，所述最上层的布线层包括第一导体层和第二导体层，所述第一导体层以与所述金属层的水平相同的水平设置在所述最上层的绝缘层的所述顶表面的所述第二区域中，所述第二导体层设置在所述第一导体层上，所述第二导体层的厚度大于所述第一导体层的厚度，

所述金属层的厚度与所述第一导体层的厚度相同，并且

所述金属层包括与所述第一导体层的金属材料相同的金属材料。

7.根据权利要求3所述的扇出型半导体封装件，其中，所述金属层的侧表面从所述第一包封剂暴露并且与所述第二包封剂接触。

8.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一包封剂和所述第二包封剂包括彼此不同的材料。

9.根据权利要求8所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一包封剂包括非感光电介质，并且

所述第二包封剂包括感光电介质。

10.根据权利要求9所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括：

金属图案层，设置在所述第二包封剂上；以及

金属过孔，贯穿所述第二包封剂并且将所述金属图案层电连接到所述最上层的布线层。

11.根据权利要求10所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括：

第三包封剂，设置在所述第二包封剂上，覆盖所述金属图案层并且具有使所述金属图案层的至少一部分暴露的开口。

12.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一包封剂的覆盖所述最上层的绝缘层的所述顶表面的所述第一区域的部分的厚度大于所述最上层的布线层的厚度。

13.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第二包封剂延伸以覆盖所述第一包封剂的顶表面。