[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201911172069.1 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110867519A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 段羽;刘云飞;丁韬;陈啸天 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;朱阳波 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管,包括:衬底、依次设置在所述衬底上的第一电极、功能层以及第二电极;其特征在于,所述功能层包括:依次设置的空穴传输层、发光层、电子传输层,所述空穴传输层采用钙钛矿吸光传输层,或所述电子传输层采用钙钛矿吸光传输层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述钙钛矿吸光传输层的载流子的迁移率大于1cm/(v·s)。
3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述钙钛矿吸光传输层采用CsPbI3、FAPbI3、MAPbI3中的一种或多种制成。
4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光层采用CBP:Ir(ppy)3、B4PyMPM:Ir(ppy)3、BCP:Ir(ppy)3、CBP:PO-01、CBP:Ir(MDQ)2(acac)、mCP:FIrpic、mCP:B4PyMPM:FIrpic、Alq3:C545T中的一种或多种制成。
5.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述功能层还包括:设置在所述空穴传输层背离所述发光层一侧的空穴注入层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述功能层还包括:设置在所述电子传输层背离所述发光层一侧的电子注入层。
7.一种如权利要求1-6任意一项所述发光二极管的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供一衬底;
在所述衬底上依次制备第一电极、功能层、第二电极;其中,所述功能层包括:依次设置的空穴传输层、发光层、电子传输层,所述空穴传输层采用钙钛矿吸光传输层,或所述电子传输层采用钙钛矿吸光传输层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管的制备方法,其特征在于,所述功能层采用如下步骤制备:
在所述第一电极上依次制备空穴传输层、发光层、电子传输层得到所述功能层;或者
在所述第一电极上依次制备电子传输层、发光层、空穴传输层得到所述功能层。
9.根据权利要求7所述的发光二极管的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿吸光传输层采用如下步骤制备:
在所述第一电极或所述发光层上,采用热蒸发的方式沉积钙钛矿材料至预设厚度得到所述钙钛矿吸光传输层。
10.根据权利要求9所述的发光二极管的制备方法,其特征在于,所述热蒸发的速率为0.005-0.05nm/s。
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