[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911172069.1 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN110867519A 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 段羽;刘云飞;丁韬;陈啸天 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;朱阳波
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种发光二极管及其制备方法,所述发光二极管包括:衬底、依次设置在所述衬底上的第一电极、功能层以及第二电极;所述功能层包括:依次设置的空穴传输层、发光层、电子传输层,所述空穴传输层采用钙钛矿吸光传输层,或所述电子传输层采用钙钛矿吸光传输层。由于钙钛矿吸光传输层对电子或空穴均具有较好的传输性能,因此可以作为电子传输层或空穴传输层,提升LED的发光性能,又由于钙钛矿吸光传输层具有较好的吸收率,较低的反射率,可以提高LED的对比度。可见,采用钙钛矿吸光传输层作为电子传输层或空穴传输层,可以同时提高发光性能和对比度。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域,尤其涉及的是一种发光二极管及其制备方法。

背景技术

在OLED器件表面制备减反射层或者偏振光层或者采用减反射(吸光)复合电极结构,难以同时获得较高的发光效率和较高的对比度。具体来说,减反射层对OLED发光效率损耗较低,但其减反射能力一般较弱,因此对对比度提升效果有限。而偏振光层方法可以有效防止环境光反射,但其在阻隔环境光的同时,由于使用了线偏振片,其发光效率损耗必然高于50%。减反射(吸光)复合电极结构可以有效避免偏振带来的效率损耗,但是其往往会影响电极的注入性能,从而影响器件效率。同时由于这种复合电极往往需要在朝向器件内部方向制备一层超薄金属,因此其仍然有一定的反射,对比度提高有限。更重要的是,虽然其表面不具有偏振片,但是由于OLED发光层为朗伯体发光体,因此朝向减反射电极方向的光仍然会被电极吸收,使得其发光效率损耗也高于50%。

可见,现有技术中,OLED器件难以同时获得较高的发光效率和较高的对比度。

因此,现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种发光二极管及其制备方法,旨在解决现有技术中难以同时获得较高的发光效率和较高的对比度的问题。

本发明解决技术问题所采用的技术方案如下:

一种发光二极管,包括:衬底、依次设置在所述衬底上的第一电极、功能层以及第二电极;其中,所述功能层包括:依次设置的空穴传输层、发光层、电子传输层,所述空穴传输层采用钙钛矿吸光传输层,或所述电子传输层采用钙钛矿吸光传输层。

所述的发光二极管,其中,所述钙钛矿吸光传输层的载流子的迁移率大于1cm/(v·s)。

所述的发光二极管,其中,所述钙钛矿吸光传输层采用CsPbI3、FAPbI3、MAPbI3中的一种或多种制成。

所述的发光二极管,其中,所述发光层采用CBP:Ir(ppy)3、B4PyMPM:Ir(ppy)3、BCP:Ir(ppy)3、CBP:PO-01、CBP:Ir(MDQ)2(acac)、mCP:FIrpic、mCP:B4PyMPM:FIrpic、Alq3:C545T中的一种或多种制成。

所述的发光二极管,其中,所述功能层还包括:设置在所述空穴传输层背离所述发光层一侧的空穴注入层。

所述的发光二极管,其中,所述功能层还包括:设置在所述电子传输层背离所述发光层一侧的电子注入层。

一种如上述任意一项所述发光二极管的制备方法,其中,包括步骤:

提供一衬底;

在所述衬底上依次制备第一电极、功能层、第二电极;其中,所述功能层包括:依次设置的空穴传输层、发光层、电子传输层,所述空穴传输层采用钙钛矿吸光传输层,或所述电子传输层采用钙钛矿吸光传输层。

所述的发光二极管的制备方法,其中,所述功能层采用如下步骤制备:

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