[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201911172341.6 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110931511A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 余明爵 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,其中具有至少一走线层,所述走线层包括第一透明导电层;以及
二维导电层,叠层设于所述第一透明导电层的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述走线层还包括第二透明导电层,设于所述二维导电层远离所述第一透明导电层的一面。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述第一透明导电层所用材料为氧化铟锡、氧化铟锌中的至少一种;
所述第二透明导电层所用材料为氧化铟锡、氧化铟锌中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述二维导电层的材质均包括石墨烯和/或二硫化钼;
所述二维导电层的厚度为10~50A。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述走线层包括源漏极、栅极、驱动电极和电容电极。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
衬底基板;
电容第一电极,设于所述衬底基板上;
缓冲层,设于所述衬底基板上且覆盖所述电容第一电极;
有源层,设于所述缓冲层上;
栅极绝缘层,设于所述有源层上以及对应于所述第一电容电极的缓冲层上;
栅极设置于对应所述有源层的所述栅极绝缘层上;
电容第二电极,设于对应所述第一电容电极的所述栅极绝缘层上;
介电层,设于所述衬底基板上且覆盖所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层和所述电容第二电极;所述介电层设有通孔,从所述介电层远离所述衬底基板的一面延伸至所述有源层表面;以及
源漏极,设于所述介电层远离所述衬底基板的一面,且通过所述通孔延伸并连接至所述有源层。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤,制备至少一走线层,包括
形成第一透明导电层;
形成二维导电层于所述第一透明导电层上。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在制备至少一走线层步骤中,还包括形成第二透明导电层于所述二维导电层上。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
采用化学气相沉积方式在所述第一透明导电层上沉积石墨烯和/或二硫化钼形成二维导电层。
10.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括如下步骤:
提供一衬底基板;
形成电容第一电极于所述衬底基板上;
形成缓冲层于所述衬底基板上且覆盖所述电容第一电极;
形成有源层于所述缓冲层上;
形成栅极绝缘层于所述有源层上和对应于所述第一电容电极的缓冲层上;
在制备至少一走线层步骤中,形成一走线层作为栅极和电容第二电极,所述栅极位于所述有源层所对应的所述栅极绝缘层上,所述电容第二电极位于所述第一电容电极对应的所述栅极绝缘层上;
形成介电层于所述衬底基板上且覆盖所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层和所述电容第二电极;
形成通孔,所述通孔从所述介电层远离衬底基板的一面延伸至所述有源层表面;
在制备至少一走线层步骤中,形成另一走线层作为源漏极,所述源漏极位于所述介电层远离所述衬底基板的一面,且通过所述通孔延伸并连接至所述有源层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的