[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201911172341.6 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110931511A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 余明爵 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种显示面板及其制备方法,所述显示面板具有至少一走线层,所述走线层包括第一透明导电层以及二维导电层;所述二维导电层叠层设于所述第一透明导电层的一侧。本发明的技术效果在于,提供一种显示面板及其制备方法,所述栅极、源漏极以及电容电极的金属导线包括透明导电层与二维导电层,从而实现透明的显示面板,有效降低金属导线的电阻值,降低消耗功率,从而减小显示面板的压降(IR drop),提升显示面板点亮的效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有源矩阵有机发光器件(英文全称为Active-matrix organic light-emittingdiode,简称AMOLED)具有主动发光、色域宽、响应快、视角广、对比度高、平面化等优点,是下一代显示与照明技术的发展趋势。
现有技术中,显示面板包括栅极层、源漏极层以及像素电极。其中,阵列基板的栅极层、源漏极层采用不透光的金属材料制成,因此,显示面板无法实现全透明的效果。
为实现显示面板全透明的效果,本领域的技术人员通常将显示面板内的金属走线全部采用ITO(氧化铟锡、氧化铟锌)材料制备而成。
如图1所示,显示面板包括衬底基板1、电容第一电极2、缓冲层3、有源层4、栅极绝缘层5、栅极6、电容第二电极7、介电层8、源漏极9、钝化层10、发光层11、平坦层12、像素电极13以及像素定义层14。其中,电容第一电极2、栅极6、电容第二电极7以及源漏极9都是采用ITO(氧化铟锡、氧化铟锌)材料制备而成,从而使得显示面板实现全透明的效果。由于栅极306和源漏极309都是采用ITO(氧化铟锡、氧化铟锌)材料制备而成,而栅极是设置在扫描线(scan line)方向上的和源漏极是设置在数据线(data line)方向上的,因此扫描线和数据线也是采用ITO(氧化铟锡、氧化铟锌)材料制备而成。由于扫描线和数据线采用ITO材料制备,导致显示面板的电阻(Rs)较大,压降(IR drop)较大,从而影响显示面板点亮效果,同时也会导致显示面板功率消耗较大。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有技术存在显示面板的扫描线和数据线采用ITO材料制备,导致电阻(Rs)较大,压降较大,影响显示面板点亮效果,功率消耗较大的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种显示面板,其中具有至少一走线层,所述走线层包括第一透明导电层以及二维导电层;所述二维导电层叠层设于所述第一透明导电层的一侧。
进一步地,所述走线层还包括第二透明导电层,设于所述二维导电层远离所述第一透明导电层的一面。
进一步地,所述第一透明导电层所用材料为氧化铟锡、氧化铟锌中的至少一种;所述第二透明导电层所用材料为氧化铟锡、氧化铟锌中的至少一种。
进一步地,所述二维导电层的材质均包括石墨烯和/或二硫化钼;所述二维导电层的厚度为10~50A。
进一步地,所述走线层包括源漏极、栅极、驱动电极和电容电极。
进一步地,所述的显示面板还包括衬底基板、电容第一电极、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、电容第二电极、介电层以及源漏极;所述电容第一电极设于所述衬底基板上;所述缓冲层设于所述衬底基板上且覆盖所述电容第一电极;所述有源层设于所述缓冲层上;所述栅极绝缘层设于所述有源层上以及对应于所述第一电容电极的缓冲层上;所述栅极设置于对应所述有源层的所述栅极绝缘层上;所述电容第二电极设于对应所述第一电容电极的所述栅极绝缘层上;所述介电层设于所述衬底基板上且覆盖所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层和所述电容第二电极;所述介电层设有通孔,从所述介电层远离衬底基板的一面延伸至所述有源层表面;以及所述源漏极设于所述介电层远离所述衬底基板的一面,且通过所述通孔延伸并连接至所述有源层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的