[发明专利]曝光装置用光源、曝光装置和抗蚀剂的曝光方法有效
申请号: | 201911172508.9 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN111308862B | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 池田富彦;井上智彦;乡田哲也;山下健一;渡边加名 | 申请(专利权)人: | 凤凰电机公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 张黎;龚敏 |
地址: | 日本国兵库*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 用光 抗蚀剂 方法 | ||
本发明提供一种曝光装置用光源,能配合抗蚀剂的特性,精确地照射需要的波长的光,另外,能将基准线以下的光量抑制在最小限度,进而,在对特性不同的别的抗蚀剂进行曝光时能使进行照射的光的波长适当变化。利用照射单波长光的多个光源组件(102)来构成曝光装置用光源(100)。而且,将从多个光源组件(102)照射的单波长光设为至少2种。
技术领域
本发明涉及例如在半导体基板等的曝光装置中使用的多灯式的曝光装置用光源。
背景技术
从以往,采用多个放电灯的光源用于曝光装置(例如,专利文献1)。
在专利文献1所涉及的光源中,使所采用的多个放电灯中的水银的封入量不同。由此,使从光源照射的光的波长区域变化。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2008-191252号公报
发明内容
(发明要解决的课题)
一般而言,从水银灯照射的光的波长中,如图21所示,存在多个峰值波长、以及给定的波长范围内的最小限度的分光强度(以下,称为“基准线”)。
然而,要想进行精度良好的曝光,期望仅以与进行曝光的抗蚀剂的特性相应的波长的光来进行曝光,而不需要与对作为对象的抗蚀剂的曝光没有帮助的峰值波长。例如,对于特定的抗蚀剂,图21中的长波长侧的峰值(405nm以及436nm)没有抗蚀剂灵敏度,因此不需要。
基于同样的理由,扩展至给定的波长范围的基准线以下的光也不需要。
如此,在现有的采用放电灯的曝光用光源中,连对抗蚀剂的曝光没有帮助的峰值波长的光也要照射从而消耗无用的能量,除了该问题以外,还有如下问题:扩展至给定的波长范围的基准线以下的光虽然对曝光的贡献小但是赋予给抗蚀剂的能量自身大,因此接受大能量的抗蚀剂有时会剥离。
本发明鉴于上述问题而提出,其目的在于,提供一种曝光装置用光源、采用该曝光装置用光源的曝光装置以及曝光装置用光源的控制方法,能够配合抗蚀剂的特性来精确地照射需要的波长的光,另外,能将基准线以下的光量抑制在最小限度,进而,在对特性不同的别的抗蚀剂进行曝光时能使进行照射的光的波长适当变化。
(用于解决课题的技术方案)
根据本发明的一方案,提供一种曝光装置用光源,具备照射单波长光的多个光源组件,从多个所述光源组件照射的单波长光至少有2种。
优选地,所述曝光装置用光源还具备光源组件支架,所述光源组件支架保持多个所述光源组件。
优选地,在一次连续曝光期间中的第一曝光时间与第二曝光时间,照射的光的照射强度变化。
优选地,在一次连续曝光期间中的第一曝光时间与第二曝光时间,各所述单波长光的照射强度的平衡变化。
优选地,一次连续曝光期间至少被划分为第一曝光时间、第二曝光时间和第三曝光时间。
优选地,对照射各所述单波长光的各所述光源组件的数量以及来自各所述光源组件的光的照射强度当中的至少一者进行调整,来实施各所述单波长光的照射强度的平衡调整。
优选地,低灵敏度的所述光源组件配置于中心侧或者外周侧,所述低灵敏度的所述光源组件照射进行曝光的抗蚀剂的受光灵敏度低的所述单波长光,高灵敏度的所述光源组件与低灵敏度的所述光源组件相反地配置于外周侧或者中心侧,所述高灵敏度的所述光源组件照射所述受光灵敏度高的所述单波长光。
优选地,各所述光源组件具有判别部件,所述判别部件用于进行正品判定。
优选地,所述判别部件是白炽灯。
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