[发明专利]基板保持机构和成膜装置

权利要求书

1.一种基板保持机构，该基板保持机构在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时保持被处理基板，其中，

该基板保持机构包括：

载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；

吸附电极，其设于所述载物台内，用于静电吸附所述被处理基板；以及

加热器，其加热所述载物台，

通过对所述吸附电极施加直流电压，从而利用约翰逊·拉别克力将所述被处理基板静电吸附于所述载物台的表面，

所述载物台具有：

密合区域，其呈环状，位于所述载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与所述被处理基板密合，而具有阻止用于成膜所述导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及

槽部，其呈环状设于所述载物台的表面的比所述密合区域靠外侧的部分，能够累积由所述原料气体生成的导电性沉积膜。

2.根据权利要求1所述的基板保持机构，其中，

所述密合区域的宽度为10mm～40mm。

3.根据权利要求1或2所述的基板保持机构，其中，

所述槽部的相对于所述密合区域的深度为20μm～100μm，所述槽部的宽度为0.5mm～2mm的范围。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板保持机构，其中，

由所述加热器加热的所述载物台的表面的温度为200℃以上。

5.根据权利要求4所述的基板保持机构，其中，

由所述加热器加热的所述载物台的表面的温度为400℃～700℃。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板保持机构，其中，

所述载物台的所述密合区域的内侧的部分为形成为凹部的吸附面，

该基板保持机构还包括向所述被处理基板与所述吸附面之间的空间供给导热用的背面气体的背面气体供给机构。

7.根据权利要求6所述的基板保持机构，其中，

所述背面气体供给机构将背面气体的气压设定为20Torr～100Torr。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板保持机构，其中，

所述吸附电极作为对于等离子的接地电极发挥功能。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板保持机构，其中，

构成所述载物台的电介质在成膜温度下的体积电阻率为1×10⁹Ω·cm～1×10¹²Ω·cm程度。

10.根据权利要求9所述的基板保持机构，其中，

所述电介质为AlN。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的基板保持机构，其中，

自所述吸附电极到吸附于所述载物台的所述被处理基板的吸附面的距离为0.5mm～1.5mm。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的基板保持机构，其中，

所述吸附电极与形成于所述载物台的表面的比所述密合区域靠外侧的位置的导电性沉积膜之间的距离大于自所述吸附电极到吸附于所述载物台的所述被处理基板的吸附面的距离。

13.根据权利要求12所述的基板保持机构，其中，

该基板保持机构还具有辅助电极，该辅助电极用于扩大等离子区域，该辅助电极位于所述吸附电极的外侧，该辅助电极与所述导电性沉积膜之间的距离大于自所述吸附电极到吸附于所述载物台的所述被处理基板的吸附面的距离。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的基板保持机构，其中，

该基板保持机构还包括支承构件，该支承构件以向下方延伸的方式安装于所述载物台的底面的背面侧中央。