[发明专利]基板保持机构和成膜装置

说明书

本发明提供基板保持机构和成膜装置。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板，该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设于载物台内；以及加热器，其加热载物台，利用约翰逊·拉别克力将被处理基板静电吸附于载物台的表面，载物台具有：密合区域，其呈环状，位于载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与被处理基板密合，而具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及槽部，其呈环状设于载物台的表面的比密合区域靠外侧的部分，能够累积由原料气体生成的导电性沉积膜。

技术领域

本公开涉及基板保持机构和成膜装置。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，对于作为被处理基板的半导体晶圆，大多使用干法蚀刻、溅射、等离子CVD等等离子处理。

在这样的等离子处理中，为了保持被处理基板，大多使用应用了静电吸附的静电卡盘(例如专利文献1～5)。

另一方面，在利用等离子CVD、等离子ALD那样的各向同性的成膜方法成膜导电性的膜的情况下，由于原料气体迂回到被处理基板的保持面而使导电性沉积膜堆积，因而可能无法发挥静电卡盘功能。因此，在利用等离子CVD、等离子ALD成膜导电性膜的情况下，在不使用静电卡盘而将基板载置于基板载置台的状态下进行等离子处理。

专利文献1：日本特开平5－67673号公报

专利文献2：日本特开平7－130830号公报

专利文献3：日本特开平9－260472号公报

专利文献4：日本特开2003－297912号公报

专利文献5：日本特开2009－21592号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板的基板保持机构和使用了该基板保持机构的成膜装置。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案涉及一种基板保持机构，该基板保持机构在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时保持被处理基板，其中，该基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设于所述载物台内，用于静电吸附所述被处理基板；以及加热器，其加热所述载物台，通过对所述吸附电极施加直流电压，从而利用约翰逊·拉别克力(Johnsen·Rahbek力)将所述被处理基板静电吸附于所述载物台的表面，所述载物台具有：密合区域，其呈环状，位于所述载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与所述被处理基板密合，而具有阻止用于成膜所述导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及槽部，其呈环状设于所述载物台的表面的比所述密合区域靠外侧的部分，能够累积由所述原料气体生成的导电性沉积膜。

发明的效果

根据本公开，提供能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板的基板保持机构和使用了该基板保持机构的成膜装置。

附图说明

图1是表示一实施方式所涉及的基板保持机构的立体图。

图2是表示一实施方式所涉及的基板保持机构的俯视图。

图3是表示一实施方式所涉及的基板保持机构的剖视图。

图4是放大表示一实施方式所涉及的基板保持机构的主要部位的剖视图。