[发明专利]半导体结构的形成方法、半导体器件

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有待刻蚀层；

在所述待刻蚀层上形成多个分立的核心层；

在所述核心层的侧壁上形成第一侧墙，所述核心层与位于所述核心层侧壁上的所述第一侧墙构成一组图形单元，多组所述图形单元之间间隔排列；

形成位于所述图形单元侧壁上的第二侧墙，相邻的第二侧墙与所述待刻蚀层围成凹槽；

在所述凹槽中形成第三侧墙；

去除所述核心层；

去除所述第二侧墙，以所述第一侧墙和第三侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，形成目标图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，相邻的图形单元构成侧墙图形层，所述侧墙图形层之间间隔排布；

形成位于所述图形单元侧壁上的第二侧墙后，形成所述第三侧墙之前，所述半导体结构的形成方法还包括：去除位于所述侧墙图形层中图形单元相对侧壁上的第二侧墙；

形成所述第三侧墙的步骤中，所述第三侧墙形成在剩余的相邻第二侧墙与待刻蚀层围成的凹槽中。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二侧墙的步骤包括：在所述第一侧墙的侧壁和顶面、以及核心层顶面和待刻蚀层上形成第一侧墙膜，位于所述第一侧墙的侧壁上的第一侧墙膜用于作为所述第二侧墙；

形成所述第二侧墙后，所述半导体结构的形成方法还包括：去除位于所述第一侧墙和核心层的顶面、以及所述待刻蚀层表面的第一侧墙膜。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二侧墙的步骤包括：在所述第一侧墙的侧壁和顶面、以及核心层顶面和待刻蚀层上形成第一侧墙膜，位于所述第一侧墙的侧壁上的第一侧墙膜用于作为所述第二侧墙；

形成所述第二侧墙后，所述半导体结构的形成方法还包括：去除位于所述第一侧墙和核心层的顶面的第一侧墙膜。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除位于所述第一侧墙和核心层的顶面、以及所述待刻蚀层表面的第一侧墙膜之后，形成所述第三侧墙；

形成所述第三侧墙的步骤包括：形成填充所述凹槽且覆盖所述第二侧墙顶部的第二侧墙膜；去除高于所述第一侧墙的第二侧墙膜，位于凹槽内的剩余第二侧墙膜作为所述第三侧墙。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除位于所述第一侧墙和核心层的顶面的第一侧墙膜之后，形成所述第三侧墙；

形成所述第二侧墙的步骤中，所述第二侧墙与位于所述待刻蚀层表面的第一侧墙膜围成开口；

形成所述第一侧墙后，去除位于所述第一侧墙和核心层的顶面的第一侧墙膜之前，所述半导体结构的形成方法还包括：形成填充于所述开口中的第二侧墙膜，所述第二侧墙膜还覆盖位于第一侧墙和核心层顶面的第一侧墙膜；

去除位于所述第一侧墙和核心层顶面的第一侧墙膜的步骤中，去除高于所述第一侧墙的第二侧墙膜和第一侧墙膜；

去除高于所述第一侧墙的第二侧墙膜和第一侧墙膜后，位于所述待刻蚀层表面的第一侧墙膜和填充于开口中的剩余第二侧墙膜构成所述第三侧墙。

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述图形单元中的核心层后，形成所述第三侧墙；

形成所述第三侧墙的步骤包括：形成填充层，填充于所述侧墙图形层中的相邻第一侧墙之间；形成第二侧墙膜，填充于所述凹槽中，且所述第二侧墙膜还覆盖所述填充层；去除高于所述第一侧墙的所述第二侧墙膜，位于凹槽中的剩余第二侧墙膜作为所述第三侧墙；

形成所述第三侧墙后，所述半导体结构的形成方法还包括：去除所述填充层。

8.如权利要求5、6或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二侧墙膜的工艺为旋涂工艺、原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺。