[发明专利]掩膜版及滤光片在审
| 申请号： | 201911174507.8 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112859511A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王红光;王菁晶;范刚洪;王群;徐广军 | 申请（专利权）人： | 上海仪电显示材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54;G02F1/1335;G02F1/1339 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜版 滤光 | ||
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：
基板；
吸收层，位于所述基板上；
多个多边形开口，位于所述吸收层内且暴露出所述基板，所述多边形开口具有多个角部，相邻所述多边形开口的其中一个所述角部相对设置。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，相对设置的所述角部之间部分重叠，重叠的所述角部的顶点之间的距离小于等于所述多边形开口尺寸的14％。
3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，相对设置的所述角部之间具有间隔。
4.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述多边形开口的形状为正多边形。
5.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述多边形开口的尺寸为所述正多边形的中心至所述正多边形任意一条边的垂直距离。
6.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，相邻所述多边形开口的中心之间的距离为20～80微米。
7.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，还包括：半透膜层，所述半透膜层位于所述多边形开口上。
8.如权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述半透膜层的材质包括铬或铬的化合物。
9.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述基板的材质包括石英玻璃或氟化钙。
10.如权利要求1所述掩膜版，其特征在于，所述吸收层的材质为铬，或所述吸收层的材质为由硅化钼、硅酸锆及氮化硅构成的无机材料。
11.一种滤光片，其特征在于，包括：
基板；
黑色矩阵，位于所述基板上，所述黑色矩阵中具有露出所述基板表面的多个开口区域；
色素层，位于所述多个开口区域内；
间隔柱，利用如权利要求1至10任一项所述掩膜版制作形成，位于相邻所述色素层之间的所述黑色矩阵上，且相邻所述间隔柱的相连高度小于等于40％。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
