[发明专利]冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备有效
申请号: | 201911174960.9 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN112951695B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 龚岳俊;黄允文 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 包姝晴;张静洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 冷却管 组件 冷却 装置 等离子体 处理 设备 | ||
本发明涉及一种具有释放静电功能的冷却装置及冷却管组件。所述冷却装置包括基板、射频屏蔽板、冷却管连接器、高电阻冷却管及金属冷却管。基板中设置有冷却通道。射频屏蔽板设置在基板的下方。冷却管连接器设置在射频屏蔽板中,在射频屏蔽板的上表面和下表面分别具有冷却管连接器的第一端和第二端。高电阻冷却管的一端与基板中的冷却通道连接,高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器的第一端连接。金属冷却管的一端与冷却管连接器的第二端连接,金属冷却管的另一端接地。本发明通过高电阻冷却管的高电阻特性避免因静电电荷而产生电弧现象,另一方面通过冷却管接地而将静电电荷导走,从而降低静电吸盘失效的机率,并提高晶圆移动的安全性。
技术领域
本发明涉及半导体领域的装置,特别涉及一种具有释放静电功能的冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备。
背景技术
请参阅图1,其为用于等离子体处理设备的冷却装置的示意图。如图所示,基板10上为静电吸盘(electrostatic chuck,ESC)20,静电吸盘20与基板10统称为静电吸盘装置。静电吸盘上承载基片。等离子体刻蚀基片时,会在基片上产生大量热量,因此,需对基片进行降温处理。通常,在基板10中设置冷却通道,通过水或热传导液在冷却通道中的循环流动来达到冷却静电吸盘20进而冷却基片的目的。
现有技术中通过绝缘橡胶软管30与基板10中的冷却通道连接以提供和回收冷却液体,当液体流经并且刮擦软管30内壁时,内壁易积累电荷,这些电荷与射频(RF)杆之间会产生放电现象,从而导致软管30损坏而漏液。同时,冷却通道的内壁上也会积累电荷,这些电荷会在静电夹盘上感应出相反极性的电荷,从而干扰静电吸盘对基片的吸附力,影响晶圆移动的安全性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有释放静电功能的冷却装置及冷却管组件,用以解决前述背景技术中所面临的问题。
为了达到上述目的,本发明的第一技术方案是提供一种具有释放静电功能的冷却装置,其包括基板、射频屏蔽板、冷却管连接器、高电阻冷却管及金属冷却管。基板中设置有冷却通道。射频屏蔽板设置在基板的下方。冷却管连接器设置在射频屏蔽板中,在射频屏蔽板的上表面和下表面分别具有冷却管连接器的第一端和第二端。高电阻冷却管的一端与基板中的冷却通道连接,高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器的第一端连接。金属冷却管的一端与冷却管连接器的第二端连接,金属冷却管的另一端接地。
优选地,基板与射频供电模组连接。
优选地,射频屏蔽板与基板之间可形成射频耦合区域。
优选地,流体在高电阻冷却管、金属冷却管和冷却通道中流动。
优选地,流体可为水或热传导液。
为了达到上述目的,本发明的第二技术方案是提供一种具有释放静电功能的冷却装置,其包括基板、射频屏蔽板、冷却管连接器、高电阻冷却管及第二冷却管。基板中设置有冷却通道。射频屏蔽板设置在基板的下方。冷却管连接器设置在射频屏蔽板中,在射频屏蔽板的上表面和下表面分别具有冷却管连接器的第一端和第二端。高电阻冷却管的一端与基板中的冷却通道连接,高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器的第一端连接。第二冷却管的一端与冷却管连接器的第二端连接,第二冷却管中的至少一个的内壁连结金属件,金属件接地。
优选地,基板与射频供电模组连接。
优选地,射频屏蔽板与基板之间可形成射频耦合区域。
优选地,流体在高电阻冷却管、第二冷却管和冷却通道中流动。
优选地,流体可为水或热传导液。
优选地,第二冷却管为非金属冷却管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司,未经中微半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911174960.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。