[发明专利]一种芯片结构及其制作与测试方法在审
| 申请号： | 201911175000.4 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110739350A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 任远;刘宁炀;李祈昕;李成果;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/544;H01L21/66;H01L21/335 |
| 代理公司： | 11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 胡蓉 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片结构 功能层 衬底 功能电极 检测电极 通孔 半导体技术领域 测试 缺陷性质 物理机制 芯片特性 制作 申请 | ||
1.一种芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：
衬底；
与所述衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；所述功能电极设置于所述功能层远离所述衬底的一侧；其中，所述多个功能层中的任意一层设置有通孔；
检测电极，所述检测电极安装于所述通孔。
2.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述多个功能层中的任意一层的四周均设置有通孔，所述通孔的表面均铺设有所述检测电极。
3.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述多个功能层包括缓冲层、应力释放层、高阻层、沟道层、势垒层以及盖帽层，所述衬底、所述缓冲层、所述应力释放层、所述高阻层、所述沟道层、所述势垒层以及所述盖帽层逐层堆叠。
4.如权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，所述多个功能层均为氮化物功能层。
5.如权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，制作所述缓冲层的材料包括AlN，制作所述应力释放层的材料包括AlGaN，制作所述高阻层的材料包括GaN，制作所述沟道层的材料包括GaN，制作所述势垒层的材料包括AlGaN，制作所述盖帽层的材料包括GaN。
6.一种芯片结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
沿所述衬底依次外延多个功能层；
在所述多个功能层中的任意一层制作通孔；
在所述通孔上制作检测电极，并在所述多个功能层中远离所述衬底的一层制作功能电极。
7.如权利要求6所述的芯片结构制作方法，其特征在于，所述在所述多个功能层中的任意一层制作通孔的步骤包括：
对所述芯片结构四周的多个功能层进行刻蚀，以刻蚀至目标功能层。
8.一种芯片性能测试方法，其特征在于，所述方法应用于如权利要求1至5任意一项所述的芯片结构，所述方法包括：
控制所述芯片结构处于不同的工作状态；
在所述检测电极上施加检测电压，以测试所述芯片结构的工作特性。
9.如权利要求8所述的芯片性能测试方法，其特征在于，所述在所述检测电极上施加检测电压，以测试所述芯片结构的工作特性的步骤包括：
在所述检测电极与所述衬底上均施加检测电压，以测试所述芯片结构的工作特性。
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