[发明专利]超高压腐蚀箔及其腐蚀方法

权利要求书

1.一种超高压腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀方法包括前处理、一级直流发孔腐蚀、二级直流发孔腐蚀、第一次中处理、三级直流扩孔腐蚀、四级直流扩孔腐蚀、第二次中处理和后处理，其中，所述一级直流发孔腐蚀和二级直流发孔腐蚀为：

一级直流发孔腐蚀：将前处理后的铝箔置于添加铝离子的盐酸和硫酸的混合溶液中进行一级发孔，加电方式采用三段组合衰减电流波形；所述三段组合衰减电流波形为：先加电8-15s将电流密度由0.98-0.83A/cm²衰减到0.83-0.68A/cm²；再加电10-15s将电流密度由0.83-0.68A/cm²衰减到0.227-0.075A/cm²；最后加电5-10s将电流密度由0.227-0.075A/cm²衰减到0.075-0.015A/cm²；

二级直流发孔腐蚀：将一级直流发孔腐蚀后的铝箔置于添加铝离子的盐酸和硫酸的混合溶液中进行二级发孔，加电方式采用三段组合衰减电流波形。

2.根据权利要求1所述的超高压腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀方法包括：

1)前处理：将铝箔先置于氢氧化钠溶液中浸泡，再置于盐酸和硫酸的混合溶液中浸泡，最后置于磷酸溶液中浸泡；

2)一级直流发孔腐蚀：将前处理后的铝箔置于添加铝离子的盐酸和硫酸的混合溶液中进行一级发孔，加电方式采用三段组合衰减电流波形；

3)二级直流发孔腐蚀：将一级直流发孔腐蚀后的铝箔置于添加铝离子的盐酸和硫酸的混合溶液中进行二级发孔，加电方式采用三段组合衰减电流波形；

4)第一次中处理：将二级直流发孔腐蚀后的铝箔置于添加铁离子的硝酸溶液中进行第一次中处理；

5)三级直流扩孔腐蚀：将第一次中处理后的铝箔置于添加铝离子的硝酸溶液中进行三级扩孔；

6)四级直流扩孔腐蚀：将三级直流扩孔腐蚀后的铝箔置于添加铝离子的硝酸溶液中进行四级扩孔；

7)第二次中处理：将四级直流扩孔腐蚀后的铝箔置于添加铁离子的盐酸溶液中进行第二次中处理；

8)后处理：将第二次中处理后的铝箔置于添加铝离子的硝酸溶液中进行后处理。

3.根据权利要求1或2所述的超高压腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述前处理包括：将铝箔置于0.5-2mol/L氢氧化钠溶液中于40-65℃浸泡30-60s，再将铝箔置于含1-10wt.％盐酸和10-40wt.％硫酸的混合溶液中于30-50℃浸泡30-60s，最后将铝箔置于含0.1-0.3wt.％磷酸的溶液中于30-60℃浸泡30-90s。

4.根据权利要求1或2所述的超高压腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，一级直流发孔腐蚀时，所述混合溶液中，盐酸的浓度为5-10wt.％，硫酸的浓度为30-50wt.％，铝离子的浓度为0.5-1wt.％；所述一级直流发孔腐蚀的温度为65-70℃。

5.根据权利要求1或2所述的超高压腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，二级直流发孔腐蚀中，所述混合溶液中，盐酸的浓度为5-10wt.％，硫酸的浓度为30-50wt.％，铝离子的浓度为0.5-1wt.％；所述二级直流发孔腐蚀的温度为60-70℃。

6.根据权利要求1或2所述的超高压腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，二级直流发孔腐蚀时，所述三段组合衰减电流波形为：先加电8-15s将电流密度由0.98-0.83A/cm²衰减到0.83-0.68A/cm²；再加电10-15s将电流密度由0.83-0.68A/cm²衰减到0.227-0.075A/cm²；最后加电5-10s将电流密度由0.227-0.075A/cm²衰减到0.075-0.015A/cm²。