[发明专利]半导体结构和互连结构的制备方法

权利要求书

1.一种互连结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供导电结构和位于所述导电结构上的介质层；

于所述介质层内形成互连通孔，所述互连通孔暴露所述导电结构；

对所述互连通孔的侧壁进行亲水处理，以使得所述互连通孔的侧壁形成亲水基团；

选择性地于所述互连通孔的侧壁形成导电阻挡层，所述导电阻挡层覆盖所述互连通孔的侧壁；

于所述互连通孔内形成导电层，所述导电层与所述导电结构连接以形成互连结构。

2.根据权利要求1所述的互连结构的制备方法，其特征在于，采用氢气等离子体对所述互连通孔的侧壁进行所述亲水处理，以使得所述互连通孔的侧壁形成所述亲水基团。

3.根据权利要求2所述的互连结构的制备方法，其特征在于，使用氢气或包含氢气的混合气体形成所述氢气等离子体，以对所述互连通孔的侧壁进行所述亲水处理。

4.根据权利要求1所述的互连结构的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺选择性地于所述互连通孔的侧壁形成所述导电阻挡层。

5.根据权利要求4所述的互连结构的制备方法，其特征在于，形成所述导电阻挡层的前驱体包括C₁₆H₂₂Ru。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的互连结构的制备方法，其特征在于，选择性地于所述互连通孔的侧壁形成所述导电阻挡层之前还包括如下步骤：对所述互连通孔暴露出的所述导电结构的上表面进行疏水处理，以使得所述导电结构暴露出的上表面具有疏水性。

7.根据权利要求6所述的互连结构的制备方法，其特征在于，对所述互连通孔暴露出的所述导电结构的上表面进行所述疏水处理包括如下步骤：选择性地于所述导电结构暴露出的上表面吸附有机基团，以使得所述导电结构暴露出的上表面具有疏水性。

8.根据权利要求7所述的互连结构的制备方法，其特征在于，所述导电结构包括铜导电结构；所述有机基团包括正十八烷基膦酸。

9.根据权利要求7所述的互连结构的制备方法，其特征在于，选择性地于所述互连通孔的侧壁形成所述导电阻挡层之后，且于所述互连通孔内形成所述导电层之前还包括如下步骤：去除所述有机基团。

10.根据权利要求9所述的互连结构的制备方法，其特征在于，采用加热工艺或溶剂清洗工艺去除所述有机基团。

11.根据权利要求1所述的互连结构的制备方法，其特征在于，所述导电阻挡层为钌阻挡层。

12.根据权利要求1所述的互连结构的制备方法，其特征在于，所述导电结构和所述介质层之间还形成有刻蚀停止层，于所述介质层内形成互连通孔还包括：形成贯穿所述介质层和所述刻蚀停止层的互连通孔。

13.一种半导体结构，其特征在于，包括：

导电结构；

位于所述导电结构上的介质层；

贯穿所述介质层的互连通孔，所述互连通孔暴露所述导电结构且所述互连通孔的侧壁形成有亲水基团。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构暴露出的上表面吸附有机基团。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构包括铜导电结构；所述有机基团包括正十八烷基膦酸。

16.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述亲水基团包括羟基。

17.一种半导体结构，其特征在于，包括：

导电结构；

位于所述导电结构上的介质层；

贯穿所述介质层的互连通孔，所述互连通孔暴露所述导电结构且所述互连通孔的侧壁形成有导电阻挡层；

所述导电结构暴露出的上表面吸附有机基团。