[发明专利]一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法

权利要求书

1.一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）基板处理：包括在基板的正面和背面的对应区域进行刻蚀，形成刻蚀区，之后在非刻蚀的区域钻穿透基板的导通孔并镀金属膜；其中，所述的基板包括基板A和基板B；

（2）贴附保护膜：将步骤（1）所述获得的若干个成对所述的基板A和所述的基板B、按矩阵排列形式放置在保护膜上，所述基板的背面贴附在保护膜上；

（3）制备二极管半成品：将芯片设置在所述的基板A上的刻蚀区，之后用导线连接所述的芯片和相匹配的所述的基板B，制作包覆芯片和导线的封装层；

（4）去除保护膜：采用有机溶剂溶解所述的保护膜；

（5）制备二极管成品：将所述封装层进行切割成粒，每个颗粒中包括一条导线及其所述导线所连接的所述基板A和所述基板B的部分。

2.根据权利要求1所述的一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，其特征在于：所述的保护膜为聚乙烯保护膜。

3.根据权利要求1所述的一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，其特征在于：步骤（3）中所制备的封装层为环氧树脂保护层，包括完成导线连接的半成品放入模压机的模具中，形成覆盖基板上方的环氧树脂保护层。

4.根据权利要求3所述的一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，其特征在于：所制作的封装层还部分包覆所述基板A和所述基板B，所述基板A和所述基板B位于正面一侧的。

5.根据权利要求1所述的一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，其特征在于：所述基板A和所述基板B的高度相同和不同。

6.根据权利要求1所述的一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，其特征在于：步骤（2）中相邻两对所述基板A和所述基板B之间距离为0.10-0.20cm。

7.根据权利要求1所述的一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，其特征在于：所述的步骤（1）采用电镀法将所述导通孔的内孔壁和上下表面的外圈连续的区域电镀铜膜。

8.根据权利要求1所述的一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，其特征在于：所述基板A和所述基板B为长条形，所述基板A或所述基板B的宽度等于所制作的二极管中所包括的基板的宽度，所述刻蚀区沿着所述基板A或所述基板B的延长方向设置。

9.根据权利要求1所述的一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，其特征在于：步骤（3）中所述芯片通过银胶固定在所述基板A的刻蚀区。

10.根据权利要求1所述的一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，其特征在于：实施的步骤（4）还包括采用流动液对基板的背面进行刷洗。