[发明专利]基于负阻效应器件实现磁电阻比值放大的电路结构有效
| 申请号： | 201911181326.8 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111010096B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张昆;陈磊;张悦;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | H03F3/217 | 分类号： | H03F3/217;H03F1/02 |
| 代理公司： | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 | 代理人： | 王丹丹 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 效应 器件 实现 磁电 比值 放大 电路 结构 | ||
【权利要求书】：
1.基于负阻效应器件实现磁电阻比值放大的电路结构，其特征在于，包括匹配电阻、磁电阻单元、第一负阻效应器件和第二负阻效应器件，所述匹配电阻与第一负阻效应器件并联组成第一电路，磁电阻单元与第二负阻效应器件并联组成第二电路，且第一电路和第二电路串联；设第一隧道二极管和匹配电阻并联之后的阻值为R1，磁电阻器件和第二隧道二极管并联之后的阻值为R2，由于磁电阻单元的电阻随着磁场的变化有一个范围，故阻值R2为一个范围值，所述匹配电阻的阻值满足R1处于R2的变化范围之内。
2.根据权利要求1所述的基于负阻效应器件实现磁电阻比值放大的电路结构，其特征在于：所述负阻效应器件为隧道二极管、耿氏二极管、PNPN四层二极管、雪崩晶体管、雪崩复合低位开关、λ二极管、λ双极型晶体管、λMOSFET、电阻和晶体管的组合电路以及正反馈电路。
3.根据权利要求1所述的基于负阻效应器件实现磁电阻比值放大的电路结构，其特征在于：所述磁电阻单元为磁隧道结、巨磁电阻结、巨磁电阻条带、各向异性磁电阻条带或其他具有磁电阻效应的条带\薄膜\结\器件。
4.根据权利要求1-3任一项所述的基于负阻效应器件实现磁电阻比值放大的电路结构，其特征在于：所述第二电路中的磁电阻单元部分采用两个磁电阻单元并联或两个磁电阻单元串联，即组成可重构磁逻辑电路。
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