[发明专利]存储器系统、存储器装置和存储器控制器有效

专利信息
申请号: 201911184100.3 申请日: 2019-11-27
公开(公告)号: CN111798903B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 申昇桓;申雄植 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/08;G11C16/34
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 赵赫;赵永莉
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 系统 装置 控制器
【说明书】:

本公开涉及一种存储器系统、存储器装置、存储器控制器及其操作方法。通过在从对与第一字线相对应的第一存储器单元的编程操作开始的第一时间点起经过第一延迟时间时发出第一状态检查信号,并且通过在从对与第二字线相对应的第二存储器单元的编程操作开始的第二时间点起经过不同于第一延迟时间的第二延迟时间时发出第二状态检查信号,能够有效地执行与数据的编程操作有关的状态检查操作。

相关申请的交叉引用

本申请文件要求于2019年4月4日提交的申请号为10-2019-0039823的韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请通过引用全部并入本文。

技术领域

各个实施例总体涉及一种存储器系统、存储器装置和存储器控制器。

背景技术

包括数据存储装置的存储器系统用于存储和提取数据文件。存储器系统可以基于计算机、服务器、移动装置(例如,智能手机、平板电脑)或任何类似计算装置的请求临时或持久地存储数据。存储器系统的示例涵盖了从传统的硬盘驱动器(HDD)到诸如固态驱动器(SDD)、通用闪存(UFS)装置和嵌入式MMC(eMMC)装置的基于半导体的数据存储装置。

SSD、UFS和eMMC包括诸如ROM(只读存储器)、PROM(可编程ROM)、EPROM(电可编程ROM)、EEPROM(电可擦除可编程ROM)、闪速存储器、PRAM(相变RAM)、MRAM(磁性RAM)、RRAM(电阻式RAM)和FRAM(铁电RAM)的非易失性存储器装置。

存储器系统可以进一步包括用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器控制器可以从主机接收命令以对包括在存储器系统中的存储器装置执行读取操作和写入操作。

发明内容

可以以各个实施例实施该申请文件中公开的技术,以提供一种可以避免在编程(写入)操作期间系统总线的较长空闲时间的存储器系统、存储器装置和存储器控制器。

在一些实施例中,存储器系统、存储器装置和存储器控制器可以有效地执行与编程操作相关的状态检查操作。

在一些实施例中,存储器系统、存储器装置和存储器控制器基于存储器装置中的字线的特性来执行与编程操作相关的状态检查操作。

在一个方面,实施例可以提供一种存储器系统,该存储器系统包括:存储器装置,包括以与多个字线和多个位线联接的阵列布置的多个存储器单元;以及存储器控制器,被配置为控制存储器装置。

多个字线可以包括第一字线和第二字线。

存储器控制器可以被配置为:当从第一时间点起经过第一延迟时间时,向存储器装置发出第一状态检查信号,对联接到第一字线的第一存储器单元的编程操作在该第一时间点开始。第一状态检查信号用于检查与第一字线相关的编程操作是否已经完成。

存储器控制器可以被配置为:当从第二时间点起经过不同于第一延迟时间的第二延迟时间时,向存储器装置发出第二状态检查信号,对联接到第二字线的第二存储器单元的编程操作在该第二时间点开始。第二状态检查信号用于检查与第二字线相关的编程操作是否已经完成。

将数据写入联接到第一字线的第一存储器单元中的第一编程时间和将数据写入联接到第二字线的第二存储器单元中的第二编程时间可以彼此不同。

第二编程时间可以长于第一编程时间,并且第二延迟时间可以长于第一延迟时间。

第一字线和第二字线可以设置在相同存储块中。可选地,第一字线和第二字线可以设置在存储器装置中的布置在不同位置的不同存储块中。

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