[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201911184320.6 申请日: 2019-11-27
公开(公告)号: CN110867459B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 何水;世良贤二;杨淑娴;柳家娴 申请(专利权)人: 厦门天马微电子有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 杨晓萍
地址: 361101 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,包括,

衬底基板;

多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于所述衬底基板一侧,所述薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管;

所述驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层为第一栅极绝缘层,所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层为第二栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层的厚度大于所述第二栅极绝缘层的厚度;

所述第一栅极绝缘层至少包括阻挡层和第一绝缘层,所述第二栅极绝缘层至少包括所述第一绝缘层,所述阻挡层位于所述第一绝缘层靠近所述驱动薄膜晶体管的有源层一侧;

其中,所述阻挡层包括氧化铟镓锌,所述阻挡层的厚度介于30nm到50nm之间;

所述驱动薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管;

所述氧化物薄膜晶体管的有源层与所述阻挡层同层同材料;

所述驱动薄膜晶体管的有源层至少包括搭接区,所述搭接区是所述驱动薄膜晶体管的源极、漏极与所述驱动薄膜晶体管的有源层连接区域;所述阻挡层在所述衬底基板方向上的正投影与述搭接区在所述衬底基板方向上的正投影互不交叠。

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,

所述衬底基板上依次设置有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层和源漏极层,

所述驱动薄膜晶体管的栅极为第一栅极,所述开关薄膜晶体管的栅极为第二栅极,所述第一栅极和所述第二栅极同层同材料。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,

所述驱动薄膜晶体管的有源层包括搭接区、欧姆接触区和沟道区,所述欧姆接触区连接所述沟道区与所述搭接区,所述阻挡层至少覆盖所述沟道区。

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,

所述阻挡层覆盖所述欧姆接触区。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,

位于所述沟道区的所述阻挡层的厚度大于位于所述欧姆接触区的所述阻挡层的厚度。

6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,

所述显示面板还包括发光器件,所述发光器件包括阳极、发光层和阴极;

所述驱动薄膜晶体管驱动所述发光器件发光,所述开关薄膜晶体管用以传递信号。

7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的显示面板。

8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括,

提供一衬底基板;

在所述衬底基板上形成多个薄膜晶体管,其中,所述薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管;

所述驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层为第一栅极绝缘层,所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层为第二栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层的厚度大于所述第二栅极绝缘层的厚度;

所述第一栅极绝缘层至少包括阻挡层和第一绝缘层,所述第二栅极绝缘层至少包括所述第一绝缘层,所述阻挡层位于所述第一绝缘层靠近所述驱动薄膜晶体管的有源层一侧;

其中,所述阻挡层包括氧化铟镓锌,所述阻挡层的厚度介于30nm到50nm之间;

所述驱动薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管;

所述氧化物薄膜晶体管的有源层与所述阻挡层同层同材料;

所述驱动薄膜晶体管的有源层至少包括搭接区,所述搭接区是所述驱动薄膜晶体管的源极、漏极与所述驱动薄膜晶体管的有源层连接区域;所述阻挡层在所述衬底基板方向上的正投影与述搭接区在所述衬底基板方向上的正投影互不交叠。

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