[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201911184320.6 申请日: 2019-11-27
公开(公告)号: CN110867459B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 何水;世良贤二;杨淑娴;柳家娴 申请(专利权)人: 厦门天马微电子有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 杨晓萍
地址: 361101 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制作方法 显示装置
【说明书】:

发明描述了一种显示面板及其制作方法、显示装置,包括,驱动电路包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管,驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层为第一绝缘层,开关薄膜晶体管的栅极绝缘层为第二栅极绝缘层,第一栅极绝缘层的厚度大于第二栅极绝缘层的厚度,第一栅极绝缘层至少包括阻挡层和第一绝缘层,第二栅极绝缘层至少包括第一绝缘层,阻挡层位于第一绝缘层靠近驱动薄膜晶体管的有源层一侧。相较于现有技术,提升驱动薄膜晶体管的驱动能力和增加开关薄膜晶体管的开启速度。

技术领域

本发明涉及显示领域,更具体地,特别是涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器,也称为有机电致发光显示器,是一种新兴的平板显示装置,由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快,而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点,因而具有广阔的应用前景。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

驱动电路中薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管(Driving TFT)、开关薄膜晶体管(Switch TFT),在有机电致发光器件制备时,驱动薄膜晶体管与开关薄膜晶体管的栅极绝缘层设置基本相同,从而驱动薄膜晶体管与开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅相近。亚阈值摆幅指的是晶体管在亚阈状态工作时或者用作为逻辑开关时的一个重要参数,也可以称为S因子,S因子可以定义为:S=dVgs/d(1og10Id),S在数值上等于为使薄膜晶体管的漏极电流Id变化一个数量级时所需要的栅极电压增量△Vgs,亚阈值摆幅的单位可以是[mV/decade]。

驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅越大,驱动薄膜晶体管能够更准确的控制有机发光显示面板的灰阶。开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅越小,开关薄膜晶体管的开启速度越快。

可见,驱动薄膜晶体管亚阈值摆幅与开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅之问存在矛盾,那么发明一种解决两者之间矛盾的方案,对进一步提高有机发光显示面板的品质是非常必要的。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,解决了实现驱动薄膜晶体管的驱动能力同时满足开关薄膜晶体管的快速开启能力。

第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:

衬底基板;

多个薄膜晶体管,薄膜晶体管位于衬底基板一侧,薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管;

驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层为第一栅极绝缘层,开关薄膜晶体管的栅极绝缘层为第二栅极绝缘层,第一栅极绝缘层的厚度大于第二栅绝缘层的厚度;

其中,第一栅极绝缘层至少阻挡层和第一绝缘层,第二栅极绝缘层至少包括第一绝缘层,阻挡层位于第一绝缘层靠近驱动薄膜晶体管的有源层一侧。

基于同一发明构思,第二方面,本发明还提供了一种显示装置,包括本发明提供的任意一种显示面板。

第三方面,本发明还提供了一种显示面板的制备方法,包括:

提供一衬底基板;

在所述衬底基板上形成多个薄膜晶体管,其中,所述薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管;

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