[发明专利]一种瞬态电压抑制二极管及电子产品

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制二极管，包括：衬底，设置在所述衬底上方的外延层和设置在外延层内的阱区，所述阱区的掺杂类型和所述外延层的掺杂类型相反，其特征在于，所述阱区的外围设置有第一沟槽，所述第一沟槽的外围设置有第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽贯穿所述外延层并延伸至所述衬底，所述第一沟槽填充有绝缘材料，所述第二沟槽填充有导电材料；或

所述阱区的内侧周围设置第一沟槽，所述第一沟槽贯穿所述阱区和所述外延层并延伸至所述衬底，所述阱区的外围设置有所述第二沟槽，所述第二沟槽贯穿所述外延层并延伸至所述衬底，所述第一沟槽填充有绝缘材料，所述第二沟槽填充有导电材料。

2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述第二沟槽由多个条状沟槽组成，多个所述条状沟槽宽度相同或不同，多个所述条状沟槽之间的间距相同或不同。

3.如权利要求1-2任一项所述瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述第一沟槽中填充的绝缘材料为二氧化硅，所述第二沟槽中填充的导电材料为金属。

4.如权利要求1-2任一项所述瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述阱区为N型掺杂，所述外延层为P型掺杂，所述衬底为N型掺杂:

或，所述阱区为P型掺杂，所述外延层为N型掺杂，所述衬底为P型掺杂:

或，阱区为N型掺杂，所述外延层为P型掺杂，所述衬底为P型掺杂:

或所述阱区为P型掺杂，所述外延层为N型掺杂，所述衬底为N型掺杂。

5.一种瞬态电压抑制二极管，包括，半导体层，所述半导体层的正面设置有第一阱区和所述半导体层的背面设置有第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区的掺杂类型相同或不同，其特征在于，所述第一阱区的外围设置有第一沟槽，所述第一沟槽的外围设置有第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽贯穿所述半导体层并延伸至所述第二阱区，所述第一沟槽填充有绝缘材料，所述第二沟槽填充有导电材料；或，

所述第一阱区的内侧周围设置有第一沟槽，所述第一沟槽贯穿所述第一阱区和所述半导体层并延伸至所述第二阱区，所述第一阱区的外围设置有所述第二沟槽，所述第二沟槽贯穿所述半导体层并延伸至所述第二阱区，所述第一沟槽填充有绝缘材料，所述第二沟槽填充有导电材料。

6.如权利要求5所述的瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述第二沟槽由多个条状沟槽组成，多个所述条状沟槽宽度相同或不同，多个所述条状沟槽之间的间距相同或不同。

7.如权利要求5-6任一项所述瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述第一沟槽中填充的绝缘材料为二氧化硅，所述第二沟槽中填充的导电材料为金属。

8.如权利要求5-6任一项所述瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述第一阱区为N型掺杂，所述半导体层为P型掺杂，所述第二阱区为N掺杂；

或，所述第一阱区为P型掺杂，所述半导体层为N型掺杂，所述第二阱区为P掺杂；

或，所述第一阱区为N型掺杂，所述半导体层为P型掺杂，所述第二阱区为P掺杂；

或，所述第一阱区为P型掺杂，所述半导体层为N型掺杂，所述第二阱区为N掺杂；

9.一种电子产品，其特征在于，所述电子产品包括如权利要求1-4任一项瞬态电压抑制二极管：

或，所述电子产品包括如权利要求5-8任一项瞬态电压抑制二极管。