[发明专利]硅控整流器及其制造方法

权利要求书

1.一种硅控整流器，其特征在于，包括：

半导体衬底(61)；

生成于所述半导体衬底(61)中的第一N阱(41)、第二N阱(42)和P阱(51)；所述第一N阱(41)、所述P阱(51)、所述第二N阱(42)依次相邻布置；

第一高浓度P型掺杂(21)、第一高浓度N型掺杂(31)位于所述第一N阱(41)上部；第二高浓度N型掺杂(32)、第二高浓度P型掺杂(22)位于所述第二N阱(42)上部；第三高浓度P型掺杂(23)位于所述P阱(51)上部；第一高浓度N型掺杂(31)位于第一高浓度P型掺杂(21)和P阱(51)之间；第二高浓度N型掺杂(32)位于第二高浓度P型掺杂(22)和P阱(51)之间；

第一高浓度N型掺杂(31)和第三高浓度P型掺杂(23)之间靠近第一高浓度N型掺杂(31)的第一N阱(41)的区域上方设有第一栅极(71)；

第二高浓度N型掺杂(32)和第三高浓度P型掺杂(23)之间靠近第二高浓度N型掺杂(32)的第二N阱(42)的区域上方设有第二栅极(72)；

所述第一高浓度P型掺杂(21)、和所述第一高浓度N型掺杂(31)、和所述第一栅极(71)连接构成第一器件极(81)；

所述第二高浓度P型掺杂(22)、和所述第二高浓度N型掺杂(32)、和所述第二栅极(72)连接构成第二器件极(82)；

第一高浓度P型掺杂(21)和第一高浓度N型掺杂(31)之间间距等于第二高浓度N型掺杂(32)和第二高浓度P型掺杂(22)之间间距，为第一设定间距；

第一高浓度N型掺杂(31)和第三高浓度P型掺杂(23)之间间距等于第二高浓度N型掺杂(32)和第三高浓度P型掺杂(23)之间间距，为第二设定间距；

第一栅极(71)的一侧与第一高浓度N型掺杂(31)的一侧对齐，第二栅极(72)的一侧与第二高浓度N型掺杂(32)的一侧对齐；

第一栅极(71)和第三高浓度P型掺杂(23)之间间距等于第二栅极(72)和第三高浓度P型掺杂(23)之间间距，为第三设定间距；

第一高浓度N型掺杂(31)的宽度等于第二高浓度N型掺杂(32)宽度，为第一设定宽度；

P阱(51)的宽度，为第二设定宽度；

所述第一设定间距为0～5μm；

所述第二设定间距为0.7～12μm；

所述第三设定间距为0.2～10μm；

所述第一设定宽度为0.1～10μm；

所述第二设定宽度为0.5～10μm。

2.根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，

所述第三高浓度P型掺杂(23)位于所述P阱(51)上部的宽度全部；或，

所述第三高浓度P型掺杂(23)位于所述P阱(51)上部的宽度全部、所述第一N阱(41)与所述P阱(51)交界处上部、和所述P阱(51)与所述第二N阱(42)交界处上部。

3.根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，

第一高浓度P型掺杂(21)远离第三高浓度P型掺杂(23)侧设置第一浅沟槽隔离(11)，第二高浓度P型掺杂(22)远离第三高浓度P型掺杂(23)侧设置第二浅沟槽隔离(12)；

所述第一浅沟槽隔离(11)和所述第二浅沟槽隔离(12)关于所述P阱(51)的宽度方向对称轴线(511)对称分布；

所述第一浅沟槽隔离(11)的深度大于所述第一高浓度P型掺杂(21)或第一高浓度N型掺杂(31)的深度；

所述第二浅沟槽隔离(12)的深度大于所述第二高浓度P型掺杂(22)或第二高浓度N型掺杂(32)的深度。