[发明专利]晶圆膜层厚度检测方法及洗边边界检测方法在审
申请号: | 201911186920.6 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN110767566A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 冯亚丽 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扫描区 洗边 预设 扫描路径 扫描图像 晶圆 膜层 边界检测 差值计算 厚度检测 晶圆表面 数据处理 扫描边 扫描 | ||
1.一种晶圆膜层厚度检测方法,其特征在于,所述方法包括:
提供晶圆,所述晶圆表面设有多个扫描区;
预设扫描路径,沿所述扫描路径对各所述扫描区进行扫描,得到各所述扫描区的第一扫描图像;
对所述第一扫描图像进行数据处理,得到各所述扫描区的厚度值。
2.如权利要求1所述的晶圆膜层厚度检测方法,其特征在于,所述扫描区为以所述晶圆的圆心为中心的环形扫描区。
3.如权利要求2所述的晶圆膜层厚度检测方法,其特征在于,所述扫描区的形成方法为:
以所述晶圆的圆心为中心,形成多个圆形的扫描边;
相邻的两个扫描边之间形成的区域设为扫描区。
4.如权利要求1所述的晶圆膜层厚度检测方法,其特征在于,各所述扫描区沿所述晶圆径向的宽度相等。
5.如权利要求1所述的晶圆膜层厚度检测方法,其特征在于,所述扫描路径为从所述晶圆的晶边到所述晶圆的中心扫描或者从所述晶圆的中心到所述晶圆的晶边扫描。
6.如权利要求1所述的晶圆膜层厚度检测方法,其特征在于,通过步进马达带动探测器沿所述扫描路径对各所述扫描区进行扫描。
7.如权利要求1所述的晶圆膜层厚度检测方法,其特征在于,所述数据处理包括:对所述第一扫描图像进行近似处理,得到第二扫描图像;以及对所述第二扫描图像做卷积处理。
8.如权利要求7所述的晶圆膜层厚度检测方法,其特征在于,所述卷积处理的方法包括:
所述第二扫描图像包括N个像素,N个所述像素呈阵列排布;
对N个所述像素做卷积处理,得到厚度特征数据库,其中,N≥3。
9.如权利要求8所述的晶圆膜层厚度检测方法,其特征在于,通过卷积公式-0.5*Ax+Ax-1-0.5*Ax-2=ax-2对所述N个像素做卷积处理,其中,Ax、Ax-1和Ax-2均表示同一所述第二扫描图像的所述像素的灰度值,ax-2表示所述厚度特征数据库对应的数据,X≥3。
10.一种洗边边界检测方法,其特征在于,所述方法包括:
采用权利要求1-9任一项所述的晶圆膜层厚度检测方法得到各所述扫描区的厚度值;
对相邻的两个所述扫描区的厚度值进行差值计算;
将所述差值与一预设阈值进行比较,根据比较结果得到洗边边界,其中,若所述差值不在所述预设阈值内,则判断两个所述扫描区之间的扫描边为洗边边界。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造