[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

第一支撑层，形成于所述基底上；

电容接触结构，形成于所述基底内，且部分延伸至所述第一支撑层内；所述第一支撑层内形成有电容孔，所述电容孔暴露出所述电容接触结构延伸至所述第一支撑层内的部分；所述电容接触结构延伸至所述第一支撑层内的部分与所述第一支撑层之间具有间隙；

下电极层，包括主体部及延伸部；所述主体部的底部覆盖所述电容接触结构的上表面；所述延伸部位于所述主体部的下方，与所述主体部一体连接，所述延伸部填充于所述间隙内，且与所述电容接触接触结构相接触。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容接触结构的纵截面形状为Z形。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第二支撑层，位于所述第一支撑层的上方，且与所述第一支撑层具有间距；

第三支撑层，位于所述第二支撑层的上方，且与所述第二支撑层具有间距；

所述电容孔还贯穿所述第三支撑层及所述第二支撑层，并延伸至所述第一支撑层；所述下电极层的主体部还至少覆盖所述电容孔的侧壁。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

电容介质层，覆盖所述下电极层的表面；

上电极层，覆盖所述电容介质层的表面。

5.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底；

于所述基底内形成有电容接触结构，所述电容接触结构部分延伸至所述基底上；

于所述电容接触结构延伸至所述基底上的部分的侧面形成沟槽牺牲层；

于所述基底上形成第一支撑层，所述第一支撑层覆盖所述电容接触结构延伸至所述基底上的部分及所述沟槽牺牲层；

于所述第一支撑层内形成电容孔，所述电容孔暴露出所述电容接触结构延伸至所述基底上的部分及所述沟槽牺牲层；

去除所述沟槽牺牲层，以于所述电容接触结构延伸至所述基底上的部分与所述第一支撑层之间形成间隙；

于所述电容孔内形成下电极层，下电极层包括主体部及延伸部；所述主体部的底部覆盖所述电容接触结构的上表面；所述延伸部位于所述主体部的下方，与所述主体部一体连接，所述延伸部填充于所述间隙内，且与所述电容接触接触结构相接触。

6.根据权利要求5所述的半导体结构制备方法，其特征在于，于所述基底内形成有电容接触结构包括：

于所述基底内形成接触孔；

于所述接触孔内及所述基底上形成接触材料层；

对所述接触材料层进行光刻刻蚀以得到所述电容接触结构。

7.根据权利要求5所述的半导体结构制备方法，其特征在于，于所述电容接触结构延伸至所述基底上的部分的侧面形成沟槽牺牲层包括：

于所述电容接触结构延伸至所述基底上的部分的表面及所述基底的上表面沉积沟槽牺牲层；

去除所述电容接触结构上表面及所述基底上表面的沟槽牺牲层，仅保留所述电容接触结构延伸至所述基底上的部分的侧面的沟槽牺牲层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，在相同刻蚀条件下，所述沟槽牺牲层的去除速率大于所述第一支撑层的去除速率及所述电容接触结构的去除速率。

9.根据权利要求1所述的半导体结构制备方法，其特征在于，于所述基底上形成第一支撑层之后，且于所述第一支撑层内形成电容孔之前还包括：

于所述第一支撑层上形成第一牺牲层；

于所述第一牺牲层上形成第二支撑层；

于所述第二支撑层上形成第二牺牲层；

于所述第二牺牲层上形成第三支撑层；

所述电容孔沿厚度方向贯穿所述第三支撑层、所述第二牺牲层、所述第二支撑层及所述第一牺牲层，并延伸至所述第一支撑层内。

10.根据权利要求9所述的半导体结构制备方法，其特征在于，形成所述下电极层之后还包括：

于所述第三支撑层和所述第二支撑层内分别形成开口；

基于所述开口去除所述第二牺牲层及所述第一牺牲层；

于所述下电极层的表面形成电容介质层；

于所述电容介质层的表面形成上电极层。