[发明专利]晶圆清洗装置及晶圆清洗方法在审
申请号: | 201911189914.6 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN112864043A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 吴奇龙 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 方法 | ||
1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括:
支撑台,用于承载晶圆;
第一喷嘴,位于所述支撑台上方,用于向位于所述支撑台表面的所述晶圆喷射气体,所述第一喷嘴能够在与所述晶圆的中心对准的位置调整气体喷射角度,使得所述第一喷嘴能够倾斜喷射气体;
控制组件,连接所述第一喷嘴,用于驱动所述第一喷嘴以固定的气体喷射角度自与所述晶圆的中心对准的位置向与所述晶圆的边缘对准的位置移动。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述控制组件包括:第一驱动器;
连接杆,一端连接所述第一驱动器、另一端连接所述第一喷嘴,所述第一驱动器用于通过所述连接杆驱动所述第一喷嘴围绕垂直于所述晶圆的轴线摆动。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述连接杆包括第一杆和第二杆,所述第一杆的一端与所述第一驱动器连接、另一端与所述第二杆垂直连接,所述第二杆与所述第一喷嘴连接。
4.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述晶圆表面覆盖有光阻层,且所述光阻层中具有图案;
所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值大于预设值时,所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第一预设角度;
所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值小于预设值时,所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第二预设角度,且所述第二预设角度大于所述第一预设角度。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述预设值为2,所述第一预设角度为30°,所述第二预设角度为60°。
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括:
第二喷嘴,用于向位于所述支撑台表面的所述晶圆喷射清洗液;
所述第二喷嘴位于所述第一喷嘴的一侧。
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括:
真空吸附口,位于所述第一喷嘴的一侧,用于吸附所述晶圆表面的颗粒物。
8.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一喷嘴包括:喷管,用于与存储所述气体的气源连通;
喷口,与所述喷管连通,所述气体经所述喷管自所述喷口喷出,且所述喷口的内径大于所述喷管的内径。
9.根据权利要求8所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一喷嘴包括矩形喷嘴、椭圆形喷嘴、扇形喷嘴中其中一种。
10.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括:
滑轨,与所述第一喷嘴背离所述晶圆的一端卡接,且所述滑轨沿平行于所述晶圆的方向延伸;
所述控制组件还包括第二驱动器,所述第二驱动器用于驱动所述第一喷嘴沿所述滑轨滑动。
11.一种晶圆清洗方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供第一喷嘴,所述第一喷嘴用于向位于支撑台表面的晶圆喷射气体;
对准所述第一喷嘴与所述晶圆的中心,并驱动所述第一喷嘴调整气体喷射角度,以能够倾斜地朝所述晶圆喷射气体;
驱动所述第一喷嘴以固定的气体喷射角度自与所述晶圆的中心对准的位置向与所述晶圆的边缘对准的位置移动。
12.根据权利要求11所述的晶圆清洗方法,其特征在于,驱动所述第一喷嘴调整气体喷射角度的具体步骤包括:
提供连接杆,所述连接杆的一端连接第一驱动器、另一端连接所述第一喷嘴;
所述第一驱动器通过所述连接杆驱动所述第一喷嘴围绕垂直于所述晶圆的轴线摆动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造