[发明专利]晶圆清洗装置及晶圆清洗方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。所述晶圆清洗装置包括：支撑台，用于承载晶圆；第一喷嘴，位于所述支撑台上方，用于向位于所述支撑台表面的所述晶圆喷射气体，所述第一喷嘴能够在与所述晶圆的中心对准的位置调整气体喷射角度，使得所述第一喷嘴能够倾斜喷射气体；控制组件，连接所述第一喷嘴，用于驱动所述第一喷嘴以固定的气体喷射角度沿自与所述晶圆的中心对准的位置向与所述晶圆的边缘对准的位置移动。本发明减少甚至是避免了晶圆表面颗粒物的残留，提高了晶圆表面的洁净度；同时，避免了晶圆表面中心区域图案的坍塌，提高了晶圆产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。

背景技术

在浸润式光刻工艺的曝光期间，通常需要在曝光镜头与晶圆表面的光刻胶之间填充满去离子水，以增加聚焦景深的适用范围。之后，可以进行若干个曝光后烘烤工艺，使位于所述晶圆表面的溶剂蒸发。接着，借由显影液除去曝光后不需要的光刻胶，并采用旋转干燥工艺干燥所述晶圆。

当前主要是通过ADR(Advanced Develop Rinse)来除去晶圆表面的显影液。ADR的主要过程是，在一次旋转干燥之后，采用去离子水二次浸润晶圆表面的光刻胶，并在二次浸润的同时，采用气体吹扫，使得去离子水自所述晶圆的中心向边缘移动。

但是，当前的ADR过程中，气体是沿垂直于晶圆表面的方向向下喷射，这就使得位于晶圆中心位置的颗粒物(例如残留光阻或光阻反应物)沿平行于晶圆所在平面的四个方向上的受力均相等，导致颗粒物残留于晶圆的中心。为了解决这一问题，当前主要是通过增大吹扫气体的流速，但是，过大的流速以及垂直于晶圆表面的吹扫方向，易导致晶圆表面中心区域的图案坍塌，影响晶圆产品的良率。

因此，如何提高晶圆清洗装置的清洗效果，减少晶圆表面的颗粒物残留，同时不造成晶圆表面中心区域的图案坍塌，从而提高晶圆产品的良率，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，用于解决当前现有技术中的晶圆清洗装置清洗效果较差的问题，以提高晶圆产品的良率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种晶圆清洗装置，包括：

支撑台，用于承载晶圆；

第一喷嘴，位于所述支撑台上方，用于向位于所述支撑台表面的所述晶圆喷射气体，所述第一喷嘴能够在与所述晶圆的中心对准的位置调整气体喷射角度，使得所述第一喷嘴能够倾斜喷射气体；

控制组件，连接所述第一喷嘴，用于驱动所述第一喷嘴以固定的气体喷射角度沿自与所述晶圆的中心对准的位置向与所述晶圆的边缘对准的位置移动。

可选的，所述控制组件包括：

第一驱动器；

连接杆，一端连接所述第一驱动器、另一端连接所述第一喷嘴，所述第一驱动器用于通过所述连接杆驱动所述第一喷嘴围绕垂直于所述晶圆的轴线摆动。

可选的，所述连接杆包括第一杆和第二杆，所述第一杆的一端与所述第一驱动器连接、另一端与所述第二杆垂直连接，所述第二杆与所述第一喷嘴连接。

可选的，所述晶圆表面覆盖有光阻层，且所述光阻层中具有图案；

所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值大于预设值时，所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第一预设角度；

所述光阻层的厚度与所述图案的线宽之间的比值小于预设值时，所述第一喷嘴摆动的最大幅度与垂直于所述晶圆的轴线之间的夹角为第二预设角度，且所述第二预设角度大于所述第一预设角度。

可选的，所述预设值为2，所述第一预设角度为30°，所述第二预设角度为60°。