[发明专利]声波装置、滤波器和多路复用器

说明书

声波装置、滤波器和多路复用器。一种声波装置包括：压电基板；电极，所述电极将压电基板夹在中间并激发压电基板中的厚度剪切振动；以及边缘区域，该边缘区域是围绕共振区域的中央区域的区域，其中，边缘区域的第一区域在大致平行于厚度剪切振动的位移方向的第一方向上位于中央区域的两侧，边缘区域的第二区域在与第一方向基本垂直的第二方向上位于中央区域的两侧，第二区域的宽度不同于第一区域的宽度，并且压电基板在第一区域和第二区域中的声波的声速小于压电基板在中央区域中的声波的声速。

技术领域

本公开的一些方面涉及声波装置、滤波器和多路复用器。

背景技术

诸如薄膜体声谐振器(FBAR)和固体安装谐振器(SMR)的体声波(BAW)谐振器已经用作无线终端(例如但不限于移动电话)的高频电路的滤波器和双工器。BAW谐振器被称为压电薄膜谐振器。压电薄膜谐振器具有在电极之间插入压电膜的同时设置一对电极的结构。一对电极跨过压电膜的至少一部分彼此面对的谐振区域是声波谐振的区域。

已知梯形滤波器，其中，例如，如日本专利申请公开第2004-146861号(以下称为专利文献1)中所公开的，其中压电薄膜谐振器串联连接及压电薄膜谐振器并联连接在输入端子和输出端子之间。在压电薄膜谐振器中，当声波在谐振区域的周围反射并且由此在谐振区域形成驻波时，形成不必要的杂散(spurious)。因此，例如，如在日本专利申请公开第2007-6501号和第2008-42871号(以下，分别称为专利文献2和专利文献3)中所公开的，通过在谐振区域内的边缘区域增加附加结构以控制声速来减少杂散。

通过例如溅射形成的多晶氮化铝(AlN)膜被用于压电薄膜谐振器的压电膜。在这种情况下，谐振区域中的振动变为在压电膜的厚度方向上的振动(厚度纵向振动)。已知使用单晶压电物质，例如但不限于钽酸锂(LiTaO₃)或铌酸锂(NbLiO₃)作为压电薄膜谐振器的压电膜，(例如，在《超声波电子学研讨会论文集》(Proceedings of Symposium onUltrasonic Electronics)第28卷(2007)，第151-152页(以下称为非专利文献1)中所公开的)。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供了一种声波装置，该声波装置包括：压电基板；一对电极，所述一对电极将压电基板夹在中间并激发压电基板中的厚度剪切振动；边缘区域，该边缘区域是围绕谐振区域的中央区域的区域并且位于谐振区域的边缘部分，该谐振区域是一对电极跨过压电基板的至少一部分彼此面对的区域；第一区域，该第一区域是边缘区域的一部分，并且在第一方向上位于中央区域的两侧，该第一方向与作为压电基板中的主模式的厚度剪切振动的位移方向基本平行，该第一区域中的压电基板中的声波的声速小于中央区域中的压电基板中的声波的声速；以及第二区域，该第二区域是边缘区域的一部分，并且在与第一方向基本垂直的第二方向上位于中央区域的两侧，该第二区域在第二方向上的宽度不同于第一区域在第一方向上的宽度，压电基板在第二区域中的声波的声速小于压电基板在中央区域中的声波的声速。

根据本公开的第二方面，提供了一种声波装置，该声波装置包括：压电基板；一对电极，所述一对电极将压电基板夹在中间并激发压电基板中的厚度剪切振动；边缘区域，该边缘区域是围绕谐振区域的中央区域的区域并且位于谐振区域的边缘部分，该谐振区域是一对电极跨过压电基板的至少一部分彼此面对的区域；第一区域，该第一区域是边缘区域的一部分，并且在第一方向上位于中央区域的两侧，该第一方向与作为压电基板中的主模式的厚度剪切振动的位移方向基本平行，压电基板在第一区域中的声波的声速小于压电基板在中央区域中的声波的声速；以及第二区域，该第二区域是边缘区域的一部分，并且在与第一方向基本垂直的第二方向上位于中央区域的两侧，压电基板在第二区域中的声波的声速小于压电基板在中央区域中的声波的声速，并且与压电基板在第一区域中的声波的声速不同。