[发明专利]一种具有双层结构的无源器件及制作方法有效
申请号: | 201911191053.5 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN111063659B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 王淋雨;陈建星;林易展;郑伯涛;林伟;章剑清;郭一帆;邱文宗 | 申请(专利权)人: | 福建省福联集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/24 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵;张忠波 |
地址: | 351117 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 双层 结构 无源 器件 制作方法 | ||
1.一种具有双层结构的无源器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在晶圆上制作电阻,电阻上设置有钝化层;
涂布桥墩光阻,在待制作电感的桥墩处进行显影,待制作电感位于电阻的上方,桥墩处与电阻具有间隙,桥墩处与钝化层具有间隙;
在桥墩处制作桥墩,桥墩用于支撑待制作电感;
涂布桥面光阻,对待制作电感处进行显影,桥面光阻定义电感的形状;
沉积金属,在待制作电感处形成电感;
去除桥墩光阻和桥面光阻,电感以桥墩为支撑点位于电阻的上方。
2.根据权利要求1所述的一种具有双层结构的无源器件的制作方法,其特征在于,在晶圆上制作电阻后,在涂布桥墩光阻前,还包括如下步骤:
在晶圆上制作下极板;
沉积氮化物,在下极板上形成覆盖下极板的介质层,在电阻上形成钝化层;
在介质层上制作上极板,上极板、介质层和下极板组成电容。
3.根据权利要求2所述的一种具有双层结构的无源器件的制作方法,其特征在于,在晶圆上制作下极板时,还包括如下步骤:
在晶圆上制作触脚,分别为第一触脚和第二触脚,触脚作为电路的连接点。
4.根据权利要求3所述的一种具有双层结构的无源器件的制作方法,其特征在于,在晶圆上制作下极板时,还包括步骤:
在晶圆上制作第一接线,第一接线连接电阻和下极板,或者第一接线连接电阻和电阻,或者第一接线连接电阻和第一触脚。
5.根据权利要求3所述的一种具有双层结构的无源器件的制作方法,其特征在于,在沉积金属,在待制作电感处形成电感时,还包括如下步骤:
在电感和电容之间形成第二接线,第二接线连接电感和电容。
6.根据权利要求3所述的一种具有双层结构的无源器件的制作方法,其特征在于,还包括如下步骤:
在电感和电容间制作第三接线,第三接线为空气桥结构,第三接线连接电感和第二触脚。
7.根据权利要求1所述的一种具有双层结构的无源器件的制作方法,其特征在于,所述桥墩的数量为至少2个。
8.一种具有双层结构的无源器件,其特征在于,所述无源器件由权利要求1至7任意一项所述的具有双层结构的无源器件制作方法制得。
9.一种具有双层结构的无源器件,其特征在于,主要包括电阻、桥墩、电感和电容,所述电容自下而上依次为下极板、介质层和上极板,所述下极板通过第一接线与所述电阻连接,所述上极板通过第二接线与所述电感连接,所述电感以所述桥墩为支撑点位于所述电阻的上方,所述桥墩为至少2个。
10.根据权利要求9所述的一种具有双层结构的无源器件,其特征在于,所述无源器件还包括有2个触脚,分别为第一触脚和第二触脚,所述第一触脚连接所述电阻,所述第二触脚连接所述电感。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造