[发明专利]三维半导体存储器装置

权利要求书

1.一种三维半导体存储器装置，包括：

第一堆叠结构块，其包括在衬底上沿第一方向并排布置的第一堆叠结构；

第二堆叠结构块，其包括在所述衬底上沿所述第一方向并排布置的第二堆叠结构；

分离结构，其设置在所述衬底上，位于所述第一堆叠结构块和所述第二堆叠结构块之间，并且包括第一模塑层和第二模塑层；和

接触插塞，其穿透所述分离结构，

其中，所述接触插塞的底表面与所述衬底接触。

2.如权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述接触插塞的底表面设置在所述衬底的顶表面下方。

3.如权利要求1所述的三维半导体存储器装置，还包括多个接触插塞，所述多个接触插塞穿透所述分离结构并且与所述衬底接触，所述多个接触插塞包括所述接触插塞，

其中，所述多个接触插塞包括第一接触插塞和第二接触插塞，

其中，所述第一接触插塞沿所述第一堆叠结构块的与所述分离结构接触的第一侧壁布置，并且

其中，所述第二接触插塞沿所述第二堆叠结构块的与所述分离结构接触的第一侧壁布置。

4.如权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述分离结构还包括：

第一分离层，其在所述第一堆叠结构块与所述第一模塑层和所述第二模塑层之间；

第二分离层，其在所述第二堆叠结构块与所述第一模塑层和所述第二模塑层之间；以及

多个接触插塞，所述多个接触插塞穿透所述分离结构并且与所述衬底接触，所述多个接触插塞包括所述接触插塞，

其中，所述多个接触插塞包括第一接触插塞和第二接触插塞，

其中，所述第一接触插塞沿所述第一分离层布置，并且

其中，所述第二接触插塞沿所述第二分离层布置。

5.如权利要求4所述的三维半导体存储器装置，其中，所述第一分离层和所述第二分离层由与所述第一模塑层或所述第二模塑层的材料相同的材料形成。

6.如权利要求1所述的三维半导体存储器装置，

其中，所述第一模塑层在所述衬底的顶表面上沿竖直方向堆叠，并且

其中，所述第二模塑层中的每一个设置在所述第一模塑层中的相应的一对相邻的第一模塑层之间。

7.如权利要求1所述的三维半导体存储器装置，

其中，所述第一堆叠结构块具有与所述分离结构接触的第一端部的第一侧壁，并且

其中，所述第二堆叠结构块具有与所述分离结构接触的第一端部的第一侧壁，

其中，所述第一堆叠结构块的第一端部和所述第二堆叠结构块的第一端部是平坦的并且竖直地延伸。

8.如权利要求7所述的三维半导体存储器装置，

其中，所述第一堆叠结构块具有与所述分离结构间隔开的第二端部，

其中，所述第二堆叠结构块具有与所述分离结构间隔开的第二端部，并且

其中，所述第一堆叠结构块和所述第二堆叠结构块的第二端部具有阶梯结构。

9.如权利要求8所述的三维半导体存储器装置，

其中，当在平面图中观察时，所述第一堆叠结构块的第一端部平行于所述第一方向设置，

其中，当在平面图中观察时，所述第一堆叠结构块的第二端部平行于与所述第一方向不同的第二方向设置，

其中，当在平面图中观察时，所述第二堆叠结构块的第一端部平行于所述第一方向设置，

其中，当在平面图中观察时，所述第二堆叠结构块的第二端部平行于所述第二方向设置，

其中，所述三维半导体存储器装置还包括层间绝缘层，

其中，所述层间绝缘层与所述第一堆叠结构块的第二端部和所述第二堆叠结构块的第二端部接触。