[发明专利]Si钝化的Ge栅极堆叠体

权利要求书

1.一种用于形成场效应晶体管的栅极堆叠体的方法，所述方法包括：

a.使Si封盖层(200)沉积在Ge通道材料(100)上；以及

b.通过等离子体增强沉积技术在200℃或更低的温度以及100W或更低、优选90W或更低的等离子体功率下，使氧化物层(300)沉积在Si封盖层(200)上。

2.如权利要求1所述的方法，其中，氧化物层(300)是SiO₂层(300)。

3.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在步骤b之后获得的Si封盖层(200)的厚度为0.1nm至2nm，优选0.2nm至1nm。

4.如前述权利要求中任一所述的方法，其中，步骤b中的等离子体增强沉积技术是等离子体增强化学气相沉积或等离子体增强原子层沉积。

5.如权利要求4所述的方法，其中，步骤b中的等离子体增强沉积技术是在75℃或更低温度下实施的等离子体增强原子层沉积。

6.如权利要求4或权利要求5所述的方法，其中，步骤b在45W或更低的等离子体功率下实施。

7.如权利要求4至权利要求6中任一项所述的方法，其中，步骤b在200Pa或更低的压力下实施。

8.如权利要求4至权利要求7中任一项所述的方法，其中，所述步骤b包括：

b1.沉积原子厚度的前体层，

b2.在氧等离子体中使该前体氧化；以及

b3.重复步骤b1和b2，直至获得所需的层(300)的厚度。

9.如前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法还包括步骤c：在所述层(300)上形成高k介电层。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述高k介电层包含HfO₂。

11.如权利要求9或权利要求10所述的方法，所述方法还包括步骤d：在所述高k介电材料上形成阻挡层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述阻挡层包含TaN。

13.如权利要求9至权利要求12中任一项所述的方法，所述方法还包括步骤e：如存在阻挡层，则在阻挡层上形成栅极金属，或者如果不存在阻挡层，则在高k介电材料上形成栅极金属。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述栅极金属包括W。

15.一种栅极堆叠体，其能够通过权利要求1至14中任一项所述的方法获得。