[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201911192588.4 申请日: 2019-11-28
公开(公告)号: CN110729312B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 王国英;宋振 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 尹璐
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种制备显示基板的方法,其特征在于,包括:

在基板的一侧形成第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管具有第一有源层以及第一输出端电极,所述第一有源层为金属氧化物形成的,所述第一输出端电极位于所述第一有源层远离所述基板的一侧,所述第一输出端电极为所述第一薄膜晶体管的源极或者漏极;以及

在所述第一薄膜晶体管远离所述基板的一侧形成第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管具有第二有源层以及第二栅极,所述第二薄膜晶体管的所述第二栅极位于所述第二薄膜晶体管靠近所述第一薄膜晶体管的一侧,所述第二有源层为低温多晶硅形成的,所述第二有源层位于所述第二栅极远离所述基板的一侧,且所述第二栅极通过过孔与所述第一输出端电极相连;

形成所述第二薄膜晶体管包括:在所述第一薄膜晶体管远离所述基板的一侧依次形成第二栅极金属层、缓冲材料层以及非晶硅层;对所述非晶硅层进行晶化处理,以将所述非晶硅层转化为多晶硅层;对所述多晶硅层、所述缓冲材料层以及所述第二栅极金属层进行图形化处理,以同步形成所述第二栅极、缓冲层以及所述第二有源层;

其中,所述第二栅极和所述第一输出端电极之间具有第一层间绝缘层,所述第一层间绝缘层的厚度为50nm~200nm。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一薄膜晶体管包括:

第一栅极,所述第一栅极位于所述第一有源层远离所述基板的一侧,且所述第一栅极以及所述第一有源层之间具有第一栅极绝缘层;

第一输入端电极,所述第一输入端电极与所述第一输出端电极同层设置,且所述第一输入端电极和所述第一有源层之间具有第二层间绝缘层,所述第一输入端电极与所述第一输出端电极均通过过孔与所述第一有源层相连,

所述第一输入端电极为所述源极和所述漏极中的一个,所述第一输出端电极为所述源极和漏极中的另一个。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二薄膜晶体管包括:

第二输入端电极以及第二输出端电极,所述第二输入端电极以及第二输出端电极同层设置,且位于所述第二有源层远离所述第二栅极的一侧,所述第二有源层以及所述第二输入端电极之间具有第三层间绝缘层,

所述第二输入端电极为所述第二薄膜晶体管的源极和漏极中的一个,所述第二输出端电极为所述源极和漏极中的另一个。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述显示基板具有多个像素单元,所述像素单元具有一个所述第一薄膜晶体管和一个所述第二薄膜晶体管。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基板为有机发光显示装置的背板。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,包括:

在所述基板上形成所述第一薄膜晶体管,并在所述第一薄膜晶管的第一输出端电极远离所述基板的一侧形成所述第一层间绝缘层;

在所述第一层间绝缘层上形成接触过孔,以暴露所述第一输出端电极;

在所述第一层间绝缘层远离所述第一输出端电极的一侧沉积所述第二栅极金属层;

形成所述第二栅极、所述缓冲层以及第二有源层之后,在所述第二有源层远离所述基板的一侧形成第三层间绝缘层,并在所述第三层间绝缘层上形成源漏极过孔,以暴露所述第二有源层;

沉积第二电极金属层,并通过构图工艺,基于所述第二电极金属层形成第二输入端电极以及第二输出端电极,所述第二输入端电极以及第二输出端电极通过所述源漏极过孔与所述第二有源层相连。

7.一种显示装置,其特征在于,包括:

显示基板,所述显示基板为权利要求1-6任一项所述的方法获得的;

所述显示基板上具有与第二薄膜晶体管电性相连的多个有机发光二极管;

封装结构,所述封装结构将所述多个有机发光元件密封于所述显示基板上。

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