[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明公开了显示基板及其制备方法、显示装置。该显示基板包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有第一有源层以及第一输出端电极，所述第一有源层为金属氧化物形成的；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有第二有源层以及第二栅极，所述第二有源层为低温多晶硅形成的，所述第二有源层位于所述第二栅极远离所述基板的一侧，且所述第二栅极通过过孔与所述第一输出端电极相连。该显示基板中第二薄膜晶体管位于第一薄膜晶体管远离基板的一侧，因此在制备时可以利用形成第二栅极的金属层阻挡硅烷气体中的H。由此，可以有效降低多晶硅沉积过程的H对金属氧化物薄膜晶体管的影响，提高基板的可靠性。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体地，涉及显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光显示装置利用有机发光二极管的自发光实现显示，具有功耗低、响应快、可视角大等优点。目前的有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示产品，将低温多晶硅(LTPS) 薄膜晶体管和金属氧化物(Metal Oxide)薄膜晶体管集成在同一有源矩阵背板上，结合了低温多晶硅(LTPS) 薄膜晶体管的高迁移率、对像素电容的充电速度快的优点，和金属氧化物(Metal Oxide)薄膜晶体管具有更低的泄漏电流的优势，有助于提高显示装置的PPI，降低功耗，提升画质。

然而，目前的显示基板及其制备方法、显示装置，特别是基于AMOLED的显示基板仍有待改进。

发明内容

本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：

目前的AMOLED背板，普遍采用首先制作LTPS TFT阵列（作为驱动薄膜晶体管），之后在LTPS之上形成金属氧化物薄膜晶体管阵列的工艺。LTPS中的有源层多是通过沉积非晶硅（a-Si）之后，通过晶化处理转换成低温多晶硅（P-Si）的，而沉积a-Si所需的气体中硅烷（SiH₄）含量较高，所以在沉积的过程中就会在背板中引入大量的H原子。虽然可以通过后续的在N₂或空气中退火处理降低H原子含量，但是在退火、CVD（化学气相沉积）等高温工艺过程中，引入的H会向氧化物有源层中扩散，导致金属氧化物薄膜晶体管可靠性劣化，甚至出现器件失效等不良。另一方面，为了减小H原子的影响两种TFT之间需要间隔较厚的绝缘介质，致使基板整体应力增加，容易出现形变弯曲。因此，如能够提出一种新型的显示基板，缓解形成LTPS TFT过程中引入的H原子（后续简称为H）对于氧化物薄膜晶体管的影响，则将有利于进一步提高AMOLED背板的性能。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提出了一种显示基板。该显示基板包括：基板；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有第一有源层以及第一输出端电极，所述第一有源层为金属氧化物形成的，所述第一输出端电极位于所述第一有源层远离基板的一侧，所述第一输出端电极为所述第一薄膜晶体管的源极或者漏极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有第二有源层以及第二栅极，所述第二有源层为低温多晶硅形成的，所述第二有源层位于所述第二栅极远离所述基板的一侧，且所述第二栅极通过过孔与所述第一输出端电极相连。该显示基板中第二薄膜晶体管位于第一薄膜晶体管远离基板的一侧，因此在制备时可以首先完成金属氧化物薄膜晶体管的制备，并在形成LTPS薄膜晶体管的有源层之前，利用形成第二栅极的金属层阻挡硅烷气体中的H。由此，可以有效降低多晶硅沉积过程的H对金属氧化物薄膜晶体管的影响，提高基板的可靠性。

根据本发明的实施例，所述第二栅极和所述第一输出端电极之间具有第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层的厚度为50nm~200nm。由此，可降低第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管之间的绝缘层厚度，进而降低该基板的整体应力。