[发明专利]热处理装置和热处理方法在审
申请号: | 201911193354.1 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN111276396A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 七种刚 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;王昊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 方法 | ||
1.一种热处理装置,其特征在于,包括:
将载置的基板加热至第1温度的热板;
具有支承所述基板的支承部,在所述热板的上方区域和从该上方区域在横向离开的外侧区域之间搬送该基板的搬送体;
在所述上方区域中的所述搬送体和所述热板之间交接所述基板的交接机构;
在所述外侧区域中将由所述支承部所支承的被所述热板加热前的基板加热至比所述第1温度低的第2温度的加热机构;和
为了被所述热板加热完而向所述外侧区域搬送,将由所述支承部所支承的所述基板冷却至比所述第2温度低的第3温度的冷却机构。
2.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
在所述基板上在曝光后形成显影前的抗蚀剂膜。
3.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
所述支承部共用于所述加热机构和所述冷却机构,
所述加热机构和所述冷却机构彼此切换以下两个状态:加热所述支承部使支承的所述基板成为所述第2温度的加热状态;和冷却所述支承部使支承的所述基板成为所述第3温度的冷却状态。
4.如权利要求3所述的热处理装置,其特征在于:
所述支承部由珀尔帖元件构成,
所述加热机构和冷却机构由通过切换向该珀尔帖元件供给的电流的方向来彼此切换所述加热状态和所述冷却状态的切换机构构成。
5.如权利要求3所述的热处理装置,其特征在于:
设置有输出控制信号的控制部,
输出所述控制信号,使得所述基板由所述支承部支承的同时或支承后,为了使该基板成为所述第2温度而进行从所述冷却状态向所述加热状态的切换。
6.如权利要求3所述的热处理装置,其特征在于:
设置有所述控制部,
输出所述控制信号,使得从所述冷却状态向所述加热状态切换的时刻成为与支承所述基板的所述搬送体位于所述上方区域的预定时刻相应的时刻。
7.如权利要求3所述的热处理装置,其特征在于:
设置有所述控制部,
该控制部取得关于载置在所述支承部之前的所述基板的温度的信息,并输出控制信号,使得所述基板被搬送时的所述支承部的温度成为与该基板的温度对应的温度。
8.如权利要求3至7中任一项所述的热处理装置,其特征在于:
设置有所述控制部,
输出控制信号,使得在所述基板被载置于所述热板期间,所述支承部成为所述冷却状态而降温。
9.如权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于:
所述搬送体包括分别具备所述支承部的彼此单独的第1搬送体和第2搬送体,
由所述加热机构、所述冷却机构分别调整所述第1搬送体的支承部的温度和所述第2搬送体的温度。
10.如权利要求1至7中任一项所述的热处理装置,其特征在于:
所述第2温度为20℃~70℃。
11.一种热处理方法,其特征在于,包括:
将载置的基板加热至第1温度的工序;
具有支承所述基板的支承部,在所述热板的上方区域和从该上方区域在横向离开的外侧区域之间搬送该基板的工序;
在所述上方区域中的所述搬送体和所述热板之间交接所述基板的工序;
在所述外侧区域中将由所述支承部所支承的被所述热板加热前的基板加热至比所述第1温度低的第2温度的工序;和
为了被所述热板加热完而向所述外侧区域搬送,将由所述支承部所支承的所述基板冷却至比所述第2温度低的第3温度的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造