[发明专利]热处理装置和热处理方法

说明书

本发明提供一种在对基板进行加热处理的热处理装置中，提高基板的热处理的面内均匀性的技术。本发明的热处理装置包括：将载置的基板加热至第1温度的热板；具有支承上述基板的支承部，在上述热板的上方区域和从该上方区域在横向离开的外侧区域之间搬送该基板的搬送体；在上述上方区域中的上述搬送体和上述热板之间交接上述基板的交接机构；在上述外侧区域中将由上述支承部支承的上述热板进行加热前的基板加热至比上述第1温度低的第2温度的加热机构；和为了被上述热板加热完而向上述外侧区域搬送，而将由上述支承部支承的上述基板冷却至比上述第2温度低的第3温度的冷却机构。

技术领域

本发明涉及加热基板的技术。

背景技术

在半导体制造工艺的光刻工序中，对作为基板的半导体晶片进行抗蚀剂等药液的涂敷的各涂覆膜的形成、作为涂敷膜的抗蚀剂膜的曝光和显影。然后，在对基板涂敷了涂敷膜后、以及在对抗蚀剂膜进行了曝光处理后等，实施对基板进行加热的热处理。作为这样的热处理装置，例如，公知有对水平载置的基板进行加热的热处理装置。

专利文献1记载了一种热处理装置，其包括：具有在容器内对被处理体进行加热的发热体的载置台；和在该容器内中与载置台的上方相对设置的被处理体温度控制机构。而且，在被处理体由载置台加热之前，使被处理体接近或者接触被处理体温度控制机构以对被处理体进行预加热。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-150696号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明是鉴于这样的情况之下而完成的，本发明提供一种在对基板进行加热处理的热处理装置中，提高基板的热处理的面内均匀性的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的热处理装置包括：将载置的基板加热至第1温度的热板；具有支承上述基板的支承部，在上述热板的上方区域和从该上方区域在横向离开的外侧区域之间搬送该基板的搬送体；在上述上方区域中的上述搬送体和上述热板之间交接上述基板的交接机构；在上述外侧区域中将由上述支承部支承的被上述热板进行加热前的基板加热至比上述第1温度低的第2温度的加热机构；和为了被上述热板加热完而向上述外侧区域搬送，而将由上述支承部支承的上述基板冷却至比上述第2温度低的第3温度的冷却机构。

发明效果

根据本发明，在对基板进行加热处理的热处理装置中，能够提高基板的热处理的面内均匀性。

附图说明

图1是表示本实施方式的热处理装置的纵截面侧视图。

图2是表示上述热处理装置的俯视图。

图3是表示设置在上述热处理装置的控制部的构成图。

图4是表示上述热处理装置的作用的说明图。

图5是表示上述热处理装置的作用的说明图。

图6是表示上述热处理装置的作用的说明图。

图7是表示上述热处理装置的作用的说明图。

图8是表示上述热处理装置的作用的说明图。

图9是表示上述热处理装置的作用的说明图。

图10是表示本实施方式的热处理装置的另一例的纵截面侧视图。

图11是表示热处理装置的再一例中所设置的控制部的构成图。

图12是表示设置有上述热处理装置的涂敷、显影装置的立体图。

图13是上述涂敷显影装置的俯视图。