[发明专利]电子装置中的泄漏电流降低有效
申请号: | 201911193365.X | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN111261202B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 赤松广志;南基俊;J·D·波特 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 中的 泄漏 电流 降低 | ||
1.一种用于降低泄漏电流的方法,其包括:
在第一晶体管和第二晶体管处接收输入信号;
将动态控制信号施加到以共源共栅配置与所述第二晶体管耦合的第三晶体管的栅极;
在施加所述动态控制信号之后,撤销激活所述输入信号;及
至少部分地基于撤销激活所述输入信号来调整所述动态控制信号的电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
将所述第二晶体管的源极加偏压到第二电压,其中调整所述动态控制信号的所述电压包括:
以小于所述电压和第二电压之间的差的量调整所述动态控制信号的所述电压。
3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
将所述第一晶体管的源极加偏压到大于所述动态控制信号的最大电压的第一电压。
4.根据权利要求1所述的方法,其中:
将所述输入信号撤销激活包括将所述输入信号的所述电压维持在恒定电平。
5.根据权利要求1所述的方法,其中:
撤销激活所述输入信号包括将所述输入信号从所述第一晶体管和所述第二晶体管移除。
6.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
在第四晶体管和第六晶体管处接收输出信号;
在撤销激活所述输入信号之前,将第二动态控制信号施加到以共源共栅配置与所述第四晶体管耦合的第五晶体管的栅极;及
至少部分地基于撤销激活所述输入信号来调整所述第二动态控制信号的电压。
7.一种电子设备,其包括:
第一晶体管,其与输入线耦合且经配置以从所述输入线接收输入信号;
第二晶体管,其与所述输入线耦合且经配置以从所述输入线接收所述输入信号;及
第三晶体管,其以共源共栅配置与所述第二晶体管耦合,且经配置以接收动态控制信号且至少部分地基于接收到所述动态控制信号来输出输出信号,其中所述第三晶体管具有比所述第二晶体管更低的阈值电压,且其中所述第一晶体管的源极经配置以大于所述动态控制信号的最大电压的第一电压加偏压。
8.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述第二晶体管的源极经配置从而以第二电压加偏压,且其中所述动态控制信号经配置以具有小于所述第一电压和所述第二电压之间的差的电压摆幅。
9.根据权利要求7所述的电子设备,其进一步包括:
控制电路,其经配置以改变所述动态控制信号的电压。
10.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述第一晶体管经配置以在所述电子设备处于备用模式时被激活,且其中所述第一晶体管具有比所述第二晶体管低的阈值电压。
11.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述第一晶体管包括PMOS晶体管,且其中所述第二晶体管和所述第三晶体管各自包括NMOS晶体管。
12.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述第一晶体管包括第一类型沟道,且其中所述第二晶体管和所述第三晶体管各自包括与所述第一类型沟道不同的第二类型沟道。
13.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管各自具有比所述第三晶体管更高的阈值电压。
14.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述第一晶体管具有第一传播延迟,且所述第二晶体管具有大于所述第一传播延迟的第二传播延迟,且其中所述第二晶体管具有低于所述第一晶体管的电压阈值。
15.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述第一晶体管具有第一传播延迟,且所述第二晶体管具有小于所述第一传播延迟的第二传播延迟,且其中所述第二晶体管具有高于所述第一晶体管的电压阈值。
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