[发明专利]电子装置中的泄漏电流降低

说明书

本申请案针对电子装置中的泄漏电流降低。当在例如不活动(例如，备用)模式的第一模式中操作时，电子装置可能易受泄漏电流的影响。为了减轻泄漏电流，电子装置可以包含以共源共栅配置耦合的晶体管，其中所述共源共栅配置中的漏极侧晶体管的栅极经配置以通过可调整(例如，动态)控制信号加偏压。当所述晶体管为不活动(例如，“关断”)时，可以调整所述控制信号以防止与所述不活动的晶体管相关联的泄漏。此外，所述共源共栅配置中的源极侧晶体管可以经配置以具有高阈值电压(例如，相对于所述漏极侧晶体管)。

交叉参考

本专利申请案主张2018年11月30日提交申请的标题为“电子装置中的泄漏电流降低(LEAKAGE CURRENT REDUCTION IN ELECTRONIC DEVICES)”的美国专利申请案第16/205,953号的优先权，所述专利申请案转让给本发明的受让人且以全文引用的方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及电子装置中的泄漏电流降低。

背景技术

以下内容通常涉及泄漏电流降低，且更具体来说涉及晶体管的泄漏电流降低。

在电气装置(例如，集成电路)中，当装置处于备用状态(其也可被称作为不活动、闲置或关断状态)时，泄漏电流可能会导致不希望的功耗。例如，甚至在晶体管经配置以处于关断(例如，关机)状态时，晶体管也可以传导非零量的泄漏电流。当电气装置处于备用状态时，电气装置中的多个此类晶体管可各自有助于泄漏电流的总量，且因此有助于电气装置的功耗的总量。

存储器装置为可以利用一或多个晶体管的装置类型的一个实例。存储器装置广泛地用以在例如计算机、相机、数字显示器等各种电子装置中存储信息。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制装置具有两种状态，通常用逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储多于两种状态。为了存取经存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中读取或感测经存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。存储装置可以使用反相器来接收具有第一逻辑状态(例如，逻辑“0”)的信号并输出具有第二逻辑状态(例如，逻辑“1”)的信号。

期望用于降低与晶体管相关联的泄漏电流的改进解决方案，无论晶体管是包含在存储器装置还是另一类型的电子装置和/或系统内。

发明内容

本发明描述一种方法。在一些实例中，所述方法可以包含：在第一晶体管和第二晶体管处接收输入信号；将动态控制信号施加到以共源共栅配置与所述第二晶体管耦合的第三晶体管的栅极；在施加所述动态控制信号之后，撤销激活所述输入信号；及至少部分地基于撤销激活所述输入信号来调整所述动态控制信号的电压。

本发明描述一种设备。在一些实例中，所述设备可以包含：第一晶体管，其与输入线耦合且经配置以接收来自所述输入线的输入信号；第二晶体管，其与所述输入线耦合并经配置以从所述输入线接收所述输入信号；及第三晶体管，其以共源共栅配置与所述第二晶体管耦合，且经配置以至少部分地基于接收到所述动态控制信号而接收动态控制信号并输出输出信号。

本发明描述一种设备。在一些实例中，所述设备可以包含：第一晶体管，其与输入线耦合且经配置以具有以第一电压加偏压的源极；第二晶体管，其与所述输入线耦合且经配置以具有以第二电压加偏压的源极；及第三晶体管，其共源共栅配置与所述第二晶体管耦合，其中反相器包括所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管。

附图说明

图1根据本发明的实例说明支持电子装置中的泄漏电流降低的存储器阵列的实例。

图2和3根据本发明的实例说明支持电子装置中的泄漏电流降低的实例电路。

图4根据本发明的方面说明支持电子装置中的泄漏电流降低的存储器阵列的实例。