[发明专利]一种应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法

权利要求书

1.一种应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法，其特征在于，包括以下步骤，S1：将无氧铜杆、稀硫酸在萝茨风机送氧与加热的条件下，发生化学反应，制成粗化电解液原液；

S2：将步骤S1中得到的粗化电解液原液，分别配制出二种浓度的粗化液：

粗化I液：Cu²⁺:12-14g/L，H₂SO₄：130-140g/L，温度为25-27℃；

粗化II液：Cu²⁺:18-20g/L，H₂SO₄：120-130g/L，温度为30-33℃；

S3：将铜箔放入电镀槽，作电镀粗化准备；

S4：将粗化I液倒入电镀槽，然后对铜箔进行电镀，设置电流密度25-30A/dm²，电镀时间为1-2s；

S5：对步骤S4中电镀后的铜箔进行水洗，洗净铜箔表面残存的粗化I液；

S6：将粗化II液倒入电镀槽，然后对步骤S5中水洗后的铜箔再次进行电镀，设置电流密度30-35A/dm²，电镀时间为1-2s。

2.根据权利要求1所述的应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法，其特征在于，在步骤S2中，配制出二种浓度的粗化液为：

所述粗化I液：Cu²⁺:12g/L，H₂SO₄：130g/L，温度为25℃；

所述粗化II液：Cu²⁺:18g/L，H₂SO₄：120g/L，温度为30℃。

3.根据权利要求1所述的应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法，其特征在于，在步骤S2中，配制出二种浓度的粗化液为：

所述粗化I液：Cu²⁺:13g/L，H₂SO₄：135g/L，温度为25℃；

所述粗化II液：Cu²⁺:19g/L，H₂SO₄：125g/L，温度为30℃。

4.根据权利要求1所述的应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法，其特征在于，在步骤S2中，配制出二种浓度的粗化液为：

所述粗化I液：Cu²⁺:14g/L，H₂SO₄：140g/L，温度为25℃；

所述粗化II液：Cu²⁺:20g/L，H₂SO₄：130g/L，温度为30℃。

5.根据权利要求1所述的应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法，其特征在于，在步骤S3中，所述铜箔的厚度为15um。

6.根据权利要求1所述的应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法，其特征在于，还包括以下步骤，S7：分析电镀粗化后铜箔的表面粗化效果。

7.根据权利要求6所述的应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法，其特征在于，在步骤S7中：采用TESCAN-VEGA3扫描电子显微镜观察分析。