[发明专利]一种应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法

说明书

本发明公开了一种应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法，包括以下步骤，将无氧铜杆、稀硫酸在萝茨风机送氧与加热的条件下，发生化学反应，制成粗化电解液原液；将得到的粗化电解液原液，分别配制出二种浓度的粗化液：粗化I液：Cu²⁺:12‑14g/L，H₂SO₄：130‑140g/L，温度为25‑27℃；粗化II液：Cu²⁺:18‑20g/L，H₂SO₄：120‑130g/L，温度为30‑33℃；将铜箔放入电镀槽，作电镀粗化准备；将粗化I液倒入电镀槽，然后对铜箔进行电镀；对电镀后的铜箔进行水洗，洗净铜箔表面残存的粗化I液；将粗化II液倒入电镀槽，然后对水洗后的铜箔再次进行电镀。本发明的有益效果：通过对粗化液的设置，并采用二级电镀粗化的方法，减小铜箔表面能，降低粗化峰值，降低传输信号损耗，提高结合力，使生产的铜箔品质更高。

技术领域

本发明涉及铜箔表面处理生产技术领域，具体来说，涉及一种应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法。

背景技术

近年来，随着电子产品的飞速发展，各种智能化的电子产品层出不穷、电解铜箔作为元器件的沟通桥梁，以到神经中枢的作用，在传输信号上的损耗与传输速率，直接关系到电子产品的性能。而铜箔毛面晶核大小，均匀性，粗糙峰值，直接决定了信号中损耗与传输速率。电解铜箔在信号转输时要符合高频高速性能，必然要提高铜箔的各项性能，特别是要控制铜箔在表面粗化处理时晶粒生长取向，由原来的竖向生长，控制为晶粒竖面向生长，提高粗化层的均匀性，抑制异常晶粒的生长,增加晶粒个数，同时降低了粗化峰值，增强铜箔抗剥离强度，减小铜箔在信号传输时的DK与DF值，现有的铜箔表面粗化工艺一般采用同一种工艺参数浓度的粗化液的二级电镀，由此方法处理后的铜箔，粗造度高，抗剥离强度低，铜粉脱落严重，信号传输易损耗。

因此，研发生产出低粗糙峰值、传输信号损耗小，高结合力的电解铜箔，能够避免铜箔在制造PCB板材线路时，钻孔、焊锡过程中出现铜箔起泡分层的现象，具有深远的价值意义，目前，并无一种合适的铜箔表面粗化方法。

发明内容

针对相关技术中的上述技术问题，本发明提出一种应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法，能够克服现有技术的上述不足，能够减小铜箔表面能，使生产的铜箔具备传输信号损耗小、低粗化峰值、符合高频高速的性能。

为实现上述技术目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种应用于高频高速电解铜箔的表面粗化方法，包括以下步骤，S1：将无氧铜杆、稀硫酸在萝茨风机送氧与加热的条件下，发生化学反应，制成粗化电解液原液；

S2：将步骤S1中得到的粗化电解液原液，分别配制出二种浓度的粗化液：

粗化I液：Cu²⁺:12-14g/L，H₂SO₄：130-140g/L，温度为25-27℃；

粗化II液：Cu²⁺:18-20g/L，H₂SO₄：120-130g/L，温度为30-33℃；

S3：将铜箔放入电镀槽，作电镀粗化准备；

S4：将粗化I液倒入电镀槽，然后对铜箔进行电镀；

S5：对步骤S4中电镀后的铜箔进行水洗，洗净铜箔表面残存的粗化 I液；

S6：将粗化II液倒入电镀槽，然后对步骤S5中水洗后的铜箔再次进行电镀。

本发明的有益效果：通过对粗化液的设置，并采用二级电镀粗化的方法，能调整粗化各工艺环境，控制铜箔毛面的晶核取向，减小铜箔表面能，降低粗化峰值，降低传输信号损耗，提高结合力，使电镀粗化后的铜箔在应用过程中，能有效避免在制造PCB板材线路时、打孔、焊锡过程中的起泡分层现象，品质更高。