[发明专利]一次可编程存储器的读写电路

权利要求书

1.一种一次可编程存储器的读写电路，其特征在于，包括：

反熔丝阵列，包括：

n*n个反熔丝单元，每个所述反熔丝单元包括耦接的反熔丝元件和开关元件，所述反熔丝单元的第一端耦接于第一节点，第二端耦接于第二节点，每个反熔丝单元中的开关元件的控制端分别耦接于不同字线信号和位线信号的与信号，其中，所述第一节点耦接于镜像电流源，所述镜像电流源电连接于第一电压源；

并联在所述第二节点和第二电压源之间的第一电容和第一开关元件，所述第一开关元件的控制端耦接于第一控制信号；

基准阵列，包括：

串联在所述第一节点和第三节点之间的基准电阻和基准开关元件，所述基准开关元件的控制端耦接于n*n个所述与信号的或信号；

并联在所述第三节点和所述第二电压源之间的第二电容和第二开关元件，所述第二开关元件的控制端耦接于第二控制信号；

比较电路，第一输入端耦接于所述第二节点，第二输入端耦接于所述第三节点，用于根据所述第二节点和所述第三节点的电压比较结果判断反熔丝是否发生编程操作。

2.如权利要求1所述的读写电路，其特征在于，在写状态时，所述第一开关元件导通，所述第二开关元件关断；在读状态时，所述第一控制信号和所述第二控制信号为相位相同的脉冲信号。

3.如权利要求2所述的读写电路，其特征在于，在读状态时，在所述脉冲信号的半个周期内，所述第二节点的电压与所述第三节点的电压的比值大于第一预设值，或者，所述第二节点的电压与所述第三节点的电压的比值小于第二预设值。

4.如权利要求2或3所述的读写电路，其特征在于，在读状态时，一个字线为使能状态且一个位线为使能状态时，所述第一开关元件和所述第二开关元件同时导通。

5.如权利要求1所述的读写电路，其特征在于，在写状态时，所述第一电压源为第一电平，在读状态时，所述第一电压源为第二电平，所述第一电平大于所述第二电平。

6.如权利要求1所述的读写电路，其特征在于，所述第一开关元件、所述第二开关元件、所述基准开关元件均为NMOS开关管。

7.如权利要求1所述的读写电路，其特征在于，所述基准电阻的阻值小于所述反熔丝元件的阻断阻值，大于所述反熔丝元件的导通阻值。

8.如权利要求2所述的读写电路，其特征在于，所述基准电阻的阻值小于等于所述反熔丝元件的阻断阻值的十分之一，大于等于所述反熔丝元件的导通阻值的十倍。

9.如权利要求7或8所述的读写电路，其特征在于，所述基准电阻为可变电阻。

10.如权利要求1所述的读写电路，其特征在于，所述第一电容与所述第二电容的容值相等。